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1. (WO2018183790) ARCHITECTURE DE CONDENSATEUR DE FORME SINUSOÏDALE DANS DE L'OXYDE

Pub. No.:    WO/2018/183790    International Application No.:    PCT/US2018/025324
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 23/522
H01L 27/08
H01L 49/02
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Inventors: SCHULTZ, Richard T.
Title: ARCHITECTURE DE CONDENSATEUR DE FORME SINUSOÏDALE DANS DE L'OXYDE
Abstract:
L'invention concerne un système et un procédé de fabrication de condensateurs métalliques à isolant métallique tout en gérant un rendement de traitement de semi-conducteur et une capacité croissante par zone. Un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur consiste à placer une couche d'oxyde sur le dessus d'une couche métallique. Une couche de résine photosensible est formée sur la couche d'oxyde et gravée selon un espacement répété. L'une parmi une variété de techniques de lithographie est utilisée pour modifier la distance entre les espacements. Le processus grave des tranchées dans des zones de la couche d'oxyde non protégées par la couche de résine photosensible et dépouille la couche de résine photosensible. Les coins supérieur et inférieur des tranchées sont arrondis. Le processus dépose un métal de fond, un diélectrique et un métal supérieur sur la couche d'oxyde à la fois sur des zones avec les tranchées et sur des zones sans les tranchées. Le processus consiste à achever le condensateur métallique isolant métallique avec des noeuds métalliques en contact avec chacune de la plaque supérieure et de la plaque inférieure.