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1. (WO2018183557) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE À COMMANDE DE TEMPÉRATURE DE TRANCHE SOUPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/183557 N° de la demande internationale : PCT/US2018/024922
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 28.03.2018
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION[US/US]; 4650 Cushing Parkway, M/S CA-1 Fremont, California 94538, US
Inventeurs : MATYUSHKIN, Alexander; US
HOLLAND, John P.; US
WILCOXSON, Mark H.; US
COMENDANT, Keith; US
OZEL, Taner; US
HAO, Fangli; US
Mandataire : LEE, Michael; US
Données relatives à la priorité :
62/480,23231.03.2017US
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK WITH FLEXIBLE WAFER TEMPERATURE CONTROL
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE À COMMANDE DE TEMPÉRATURE DE TRANCHE SOUPLE
Abrégé :
(EN) An apparatus for processing a substrate is provided. A first coolant gas pressure system, a second coolant gas pressure system, a third coolant gas pressure system, and a fourth coolant gas pressure system are provided to provide independent gas pressures. An electrostatic chuck has a chuck surface with a center point and a radius and comprises a first plurality of coolant gas ports further than a first radius from a center point, a second plurality of coolant gas ports spaced between the first radius from the center point and a second radius from the center point, a third plurality of coolant gas ports spaced between the second radius from the center point and a third radius from the center point, and a fourth plurality of coolant gas ports is spaced within the third radius from the center point. An outer sealing band extends around the chuck surface.
(FR) L'invention concerne un appareil de traitement de substrat. Un premier système de pression de gaz de refroidissement, un second système de pression de gaz de refroidissement, un troisième système de pression de gaz de refroidissement et un quatrième système de pression de gaz de refroidissement sont prévus pour fournir des pressions de gaz indépendantes. Un mandrin électrostatique a une surface de mandrin ayant un point central et un rayon et comprend une première pluralité d'orifices de gaz de refroidissement plus éloignés qu'un premier rayon à partir d'un point central, une seconde pluralité d'orifices de gaz de refroidissement espacés entre le premier rayon à partir du point central et un second rayon à partir du point central, une troisième pluralité d'orifices de gaz de refroidissement espacés entre le second rayon à partir du point central et un troisième rayon à partir du point central, et une quatrième pluralité d'orifices de gaz de refroidissement étant espacés dans le troisième rayon à partir du point central. Une bande d'étanchéité externe s'étend autour de la surface de mandrin.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)