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1. (WO2018183374) DIODE SCHOTTKY VERTICALE AU NITRURE DE GALLIUM

Pub. No.:    WO/2018/183374    International Application No.:    PCT/US2018/024629
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 28 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 29/872
H01L 29/45
H01L 29/47
Applicants: QROMIS, INC.
Inventors: ODNOBLYUDOV, Vladimir
AKTAS, Ozgur
Title: DIODE SCHOTTKY VERTICALE AU NITRURE DE GALLIUM
Abstract:
L'invention concerne une diode Schottky verticale comprenant un contact ohmique, une première couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N en contact physique avec le contact ohmique et comportant une première concentration de dopage, et une seconde couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N en contact physique avec la première couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N et comportant une seconde concentration de dopage qui est inférieure à la première concentration de dopage. La diode Schottky verticale comprend en outre une première région de terminaison de bord et une seconde région de terminaison de bord couplées à la seconde couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N et séparées l'une de l'autre par une partie de la seconde couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N, et un contact Schottky couplé à la partie de la seconde couche épitaxiale de nitrure de gallium de type N et à la première région de terminaison de bord et à la seconde région de terminaison de bord.