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1. (WO2018183310) COMPOSITIONS DE POLISSAGE ET LEURS PROCÉDÉS D'UTILISATION
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N° de publication : WO/2018/183310 N° de la demande internationale : PCT/US2018/024543
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 27.03.2018
CIB :
C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
FUJIFILM PLANAR SOLUTIONS, LLC [US/US]; 6550 South Mountain Road Mesa, Arizona 85212, US
Inventeurs :
LEONOV, Alexei P.; US
MISHRA, Abhudaya; US
Mandataire :
ZHANG, Tony; US
WEFERS, Marc M.; US
Données relatives à la priorité :
15/472,78829.03.2017US
Titre (EN) POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS OF USE THEREOF
(FR) COMPOSITIONS DE POLISSAGE ET LEURS PROCÉDÉS D'UTILISATION
Abrégé :
(EN) The disclosure provides chemical mechanical polishing compositions and methods for polishing polysilicon films with high removal rates. The compositions include 1) an abrasive; 2): Formula (I) at least one compound of structure (I): (I), 3) at least one compound of structure (II): Formula (II); and 4) water; in which the composition does not include tetramethylammonium hydroxide or a salt thereof. The variables n, R1-R7, X, Y, and Z1-Z3 in structures (I) and (II) are defined in the Specification. The synergistic effect of the compounds of structures (I) and (II) in these chemical mechanical polishing compositions leads to high polysilicon films material removal rate during polishing.
(FR) La présente invention concerne des compositions de polissage mécano-chimique et des procédés de polissage de films de polysilicium présentant des taux d’élimination élevés. Les compositions comprennent 1) un abrasif ; 2) : Formule (I) au moins un composé de structure (I) : (I), 3) au moins un composé de structure (II) : Formule (II) ; et 4) de l’eau ; dans laquelle la composition ne comprend pas d’hydroxyde de tétraméthylammonium ni de sel correspondant. Les variables (n), R1-R7, X, Y, et Z1-Z3 dans les structures (I) et (II) sont définies dans la description. L’effet de synergie des composés de structures (I) et (II) dans ces compositions de polissage mécano-chimique conduit à un taux d’élimination élevé du matériau de films de polysilicium lors du polissage.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)