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1. (WO2018183189) AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE À DÉCOUPAGE INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/183189 N° de la demande internationale : PCT/US2018/024333
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 26.03.2018
CIB :
H03F 1/56 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01) ,H03F 3/217 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193
comportant des dispositifs à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
217
Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
Déposants : WAVEGUIDE CORPORATION[US/US]; 675 West Kendall Street Cambridge, MA 02142, US
Inventeurs : ALEXEYEV, Alexander; US
Mandataire : LIN, Yi-Chia; US
FRANK, Steve, J.; US
ALTIERI, Stephen, L.; US
HAYMAN, Mark, L.; US
CURRIE, Matthew, T.; US
Données relatives à la priorité :
62/477,00927.03.2017US
62/477,01427.03.2017US
Titre (EN) INTEGRATED SWITCHED-MODE POWER AMPLIFIERS
(FR) AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE À DÉCOUPAGE INTÉGRÉ
Abrégé :
(EN) Systems and methods for reducing variability in the output impedance of an integrated switch-mode power amplifier (PA) split the output impedance between passive resistor, which may be on-chip, and a MOSFET switch of the amplifier. The PA may have a single-ended configuration or a differential configuration having two single-ended structures operating with opposite phases. In one implementation, the size of the MOSFET switch is larger than that of the MOSFET switch implemented in a conventional PA, but the size is still acceptable to operate the PA at a desired frequency. In addition, a calibration approach may be utilized to ensure that the MOSFET switch has a controlled and calibrated ON resistance, thereby providing stable output power levels of the PA and ensuring consistency and repeatability in NMR measurements.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de réduire la variabilité de l'impédance de sortie d'un amplificateur de puissance à découpage intégré (PA) en séparant l'impédance de sortie entre une résistance passive, qui peut être sur puce, et un commutateur MOSFET de l'amplificateur. Le PA peut présenter une configuration asymétrique ou une configuration différentielle ayant deux structures asymétriques fonctionnant avec des phases opposées. Dans un mode de réalisation, la taille du commutateur MOSFET est supérieure à celle du commutateur MOSFET mis en œuvre dans un PA classique, mais la taille est encore acceptable pour faire fonctionner le PA à une fréquence souhaitée. De plus, une approche d'étalonnage peut être utilisée pour garantir que le commutateur MOSFET présente une résistance à l'état passant commandée et étalonnée, fournissant ainsi des niveaux de puissance de sortie stables du PA et assurant la cohérence et la reproductibilité dans des mesures par RMN.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)