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1. (WO2018182847) RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D’ÉLECTRICITÉ POUR CIRCUIT INTÉGRÉ (IC) TRIDIMENSIONNEL (3D) (3DIC)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/182847 N° de la demande internationale : PCT/US2018/016434
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 01.02.2018
CIB :
H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 21/98 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
98
Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : KAMAL, Pratyush; US
SAMADI, Kambiz; US
XIE, Jing; US
DU, Yang; US
Mandataire : DAVENPORT, Taylor, M.; US
Données relatives à la priorité :
15/472,61429.03.2017US
Titre (EN) POWER DISTRIBUTION NETWORKS FOR A THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC)
(FR) RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D’ÉLECTRICITÉ POUR CIRCUIT INTÉGRÉ (IC) TRIDIMENSIONNEL (3D) (3DIC)
Abrégé :
(EN) Power distribution networks in a three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) are disclosed. In one aspect, a voltage drop within a power distribution network in a 3DIC is reduced to reduce unnecessary power dissipation. In a first aspect, interconnect layers devoted to distribution of power within a given tier of the 3DIC are provided with an increased thickness such that a resistance of such interconnect layers is reduced relative to previously used interconnect layers and also reduced relative to other interconnect layers. Further voltage drop reductions may also be realized by placement of vias used to interconnect different tiers, and particularly, those vias used to interconnect the thickened interconnect layers devoted to the distribution of power. That is, the number, position, and/or arrangement of the vias may be controlled in the 3DIC to reduce the voltage drop.
(FR) La présente invention concerne des réseaux de distribution d’électricité dans un circuit intégré (IC) tridimensionnel (3D) (3DIC). Dans un aspect, une chute de tension dans un réseau de distribution d’électricité dans un 3DIC est réduite afin de réduire la dissipation de puissance inutile. Dans un premier aspect, des couches d’interconnexion consacrées à la distribution d’électricité dans un étage donné du 3DIC sont pourvues d’une épaisseur augmentée de sorte qu’une résistance de telles couches d’interconnexion soit réduite par rapport aux couches d’interconnexion précédemment utilisées et également réduite par rapport aux autres couches d’interconnexion. D’autres réductions de chute de tension peuvent également être réalisées par placement de trous d’interconnexion utilisés pour interconnecter différents étages et, en particulier, les trous d’interconnexion utilisés pour interconnecter les couches d’interconnexion épaissies consacrées à la distribution d’électricité. Autrement dit, le nombre, la position et/ou l’agencement des trous d’interconnexion peuvent être configurés dans le 3DIC pour réduire la chute de tension.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)