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1. (WO2018182748) TRANSISTORS À CANAL RICHE EN GERMANIUM COMPRENANT UNE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT À BASE DE CARBONE

Pub. No.:    WO/2018/182748    International Application No.:    PCT/US2017/025643
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sun Apr 02 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/08
H01L 29/16
H01L 29/06
H01L 29/78
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: GLASS, Glenn A.
MURTHY, Anand S.
GHANI, Tahir
Title: TRANSISTORS À CANAL RICHE EN GERMANIUM COMPRENANT UNE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT À BASE DE CARBONE
Abstract:
Cette invention concerne des techniques de formation de transistors à canal riche en germanium (Ge) comprenant une barrière de diffusion de dopant à base de carbone. Selon l'invention, l'introduction de carbone dans au moins une partie d'une région source/drain donnée (S/D) aide à inhiber la diffusion de dopant (par exemple, B, P, ou As) dans la région adjacente de canal riche en Ge. Le carbone peut être : inclus dans une couche interfaciale située entre une région S/D donnée et sa région de canal riche en Ge correspondante, la couche interfaciale servant de couche barrière de diffusion de dopant pour aider à empêcher un dopant contenu dans le matériau massif de S/D de se diffuser dans la région de canal riche en Ge ; inclus en tant qu'élément d'alliage dans le matériau massif de S//D, de telle sorte que le carbone est inclus dans au moins une majorité d'une région S/D donnée ; ou utilisé en une combinaison des deux approches susmentionnées. L'invention recouvre de nombreux modes de réalisation, configurations et variantes.