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1. (WO2018182740) DISPOSITIF À EFFET HALL DE SPIN AVEC COUCHE D'ABSORPTION DE SPIN
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N° de publication : WO/2018/182740 N° de la demande internationale : PCT/US2017/025604
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 31.03.2017
CIB :
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22
comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri, E.; US
YOUNG, Ian, A.; US
Mandataire :
SICARD, Keri, E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPIN HALL EFFECT DEVICE WITH SPIN ABSORPTION LAYER
(FR) DISPOSITIF À EFFET HALL DE SPIN AVEC COUCHE D'ABSORPTION DE SPIN
Abrégé :
(EN) Techniques are disclosed for forming magnetic random access memory (MRAM) devices and logic devices that includes a layer of material to induce a spin Hall effect (SHE) that is in contact with a layer of a spin absorption material. Disposing a spin absorption material layer in contact with a SHE material improves switching efficiency of devices that include this interface.
(FR) L'invention concerne des techniques permettant de former des dispositifs de mémoire vive magnétique (MRAM) et des dispositifs logiques qui comprennent une couche de matériau pour induire un effet Hall de spin (SHE) qui est en contact avec une couche d'un matériau d'absorption de spin. La disposition d'une couche de matériau d'absorption de spin en contact avec un matériau SHE améliore l'efficacité de commutation des dispositifs qui comprennent cette interface.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)