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1. (WO2018182731) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL À PENTE ABRUPTE À PENTE SOUS LE SEUIL ABRUPTE METTANT EN ŒUVRE UN MATÉRIAU DE COMMUTATION DE SEUIL

Pub. No.:    WO/2018/182731    International Application No.:    PCT/US2017/025552
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 27/108
H01L 29/66
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: SHARMA, Abhishek A.
PILLARISETTY, Ravi
LE, Van H.
DEWEY, Gilbert
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL À PENTE ABRUPTE À PENTE SOUS LE SEUIL ABRUPTE METTANT EN ŒUVRE UN MATÉRIAU DE COMMUTATION DE SEUIL
Abstract:
Cette invention concerne un appareil de transistor comprenant un corps de transistor disposé sur un substrat, le corps comprenant : une première région de diffusion et une seconde région de diffusion sur la première région de diffusion, la première région de diffusion et la seconde région de diffusion étant séparées par un canal ; un matériau de commutation de seuil (TSM) couplée à l'une de la première région de diffusion et de la seconde région de diffusion ; et un empilement de grille comprenant une électrode de grille et un matériau diélectrique de grille. Un procédé de formation d'un circuit intégré comprend la formation d'une pluralité de corps en une rangée sur un substrat, chacun de la pluralité de corps comprenant un transistor comprenant une première région de diffusion, une seconde région de diffusion et un canal, la seconde région de diffusion étant sur la première région de diffusion et séparée par le canal ; et la formation d'un matériau de commutation de seuil (TSM) en contact avec la seconde région de diffusion.