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1. (WO2018182715) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP SANS JONCTION
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N° de publication : WO/2018/182715 N° de la demande internationale : PCT/US2017/025505
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 31.03.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51
Matériaux isolants associés à ces électrodes
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : MA, Sean, T.; US
WEBER, Justin, R; US
KENNEL, Harold, W.; US
DEWEY, Gilbert; US
RACHMADY, Willy; US
HUANG, Cheng-Ying; US
MINUTILLO, Nicholas, G.; US
KAVALIEROS, Jack, T.; US
MURTHY, Anand, S.; US
GHANI, Tahir; US
Mandataire : GRIFFIN, Malvern, U., III; US
CHAN, Christopher J.; US
WARREN, Daniel J.; US
PAPPAS, Peter G.; US
KING, Kevin W.; US
WARREN, William L.; US
WIGLEY, David E.; US
ARONSON, Joshua B.; US
FREDRICH, Stacy D.; US
CLINE, James; US
SPIER, Jeremy D.; US
BAKHSH, Umar R.; US
ZOGAIB, Nash; US
HANNON, James M.; US
NARVAEZ, Gustavo A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) JUNCTIONLESS FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP SANS JONCTION
Abrégé :
(EN) Solid-state devices having dielectric layers including localized charges of a first polarity, and processes to form the dielectric layers are provided. The first polarity can be opposite to a second polarity of mobile charges within a carrier-doped semiconductor layer included in the solid-state devices. Each of the solid state devices can have multiple electrodes, where a first electrode and a second electrode can permit biasing the solid-state device and causing transport of carriers through a channel region. The multiple electrodes also include a third electrode that can serve as a gate contact. In one example, a charged dielectric layer of a solid-state device can be adjacent to the channel region and can separate the third electrode from the second electrode. In addition, the carrier-doped semiconductor layer also can be adjacent to the channel region and can form an interface with the second electrode. The opposite charge polarity of the localized charges and mobile charges can improve the current transported across the channel region.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs ayant des couches diélectriques comprenant des charges localisées d'une première polarité, et des processus permettant de former les couches diélectriques. La première polarité peut être opposée à une seconde polarité de charges mobiles à l'intérieur d'une couche à semi-conducteurs dopée par un support comprise dans les dispositifs à semi-conducteurs. Chacun des dispositifs à semi-conducteurs peut comporter de multiples électrodes, une première électrode et une deuxième électrode pouvant permettre la polarisation du dispositif à semi-conducteurs et provoquer le transport de supports à travers une région de canal. Les multiples électrodes comprennent également une troisième électrode qui peut servir de contact de grille. Dans un exemple, une couche diélectrique chargée d'un dispositif à semi-conducteurs peut être adjacente à la région de canal et peut séparer la troisième électrode de la deuxième électrode. De plus, la couche à semi-conducteurs dopée par un support peut également être adjacente à la région de canal et peut former une interface avec la deuxième électrode. La polarité de charge opposée des charges localisées et des charges mobiles peut améliorer le courant transporté à travers la région de canal.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)