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1. (WO2018182709) CIRCUITS AYANT UN RAPPORT DE COURANT DE CRÊTE/VALLÉE DE COURANT AMÉLIORÉ

Pub. No.:    WO/2018/182709    International Application No.:    PCT/US2017/025486
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03K 17/30
H03K 17/74
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: CHU-KUNG, Benjamin
KUO, Charles C.
DOYLE, Brian S.
AUGUSTINE, Charles
Title: CIRCUITS AYANT UN RAPPORT DE COURANT DE CRÊTE/VALLÉE DE COURANT AMÉLIORÉ
Abstract:
Selon l'invention, une résistance différentielle négative (NDR) peut être utilisée en association avec des circuits et/ou des dispositifs de mémoire. Les performances d'un tel commutateur de mémoire peuvent être associées au rapport de courant de crête/vallée du courant à travers le commutateur de mémoire. Un rapport de courant de crête/vallée de courant plus élevé peut impliquer un commutateur de mémoire plus robuste. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un circuit qui fonctionne généralement en prenant la sortie d'un circuit présentant une NDR comprenant une diode à effet tunnel résonant (RTD) et un premier transistor à jonction bipolaire (BJT) par l'intermédiaire d'un second BJT pour générer des caractéristiques de tension de courant ayant des rapports de courant de crête/vallée de courant élevés; en outre, le courant de base du premier BJT peut être utilisé pour réduire le courant de vallée émis du circuit.