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1. (WO2018182698) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION

Pub. No.:    WO/2018/182698    International Application No.:    PCT/US2017/025438
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 43/02
H01L 43/08
H01L 43/10
H01L 43/12
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: RAHMAN, Tofizur
WIEGAND, Christopher J.
OUELLETTE, Daniel G.
SMITH, Angeline K.
BROCKMAN, Justin S.
OGUZ, Kaan
O'BRIEN, Kevin P.
DOCZY, Mark L.
DOYLE, Brian S.
GOLONZKA, Oleg
GHANI, Tahir
Title: DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abstract:
L'invention concerne un empilement de couches de matériau pour un dispositif pSTTM comprenant une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) ayant une couche magnétique fixe, une barrière tunnel disposée au-dessus de la couche magnétique fixe et une couche magnétique libre disposée sur la barrière tunnel. Une couche d'oxyde est disposée sur la couche magnétique libre et une couche magnétique suiveuse est disposée sur la couche d'oxyde, la couche magnétique étant magnétiquement couplée à la couche magnétique libre.