Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018182687) STRUCTURES DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

Pub. No.:    WO/2018/182687    International Application No.:    PCT/US2017/025382
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/66
H01L 29/417
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: RACHMADY, Willy
METZ, Matthew V.
DEWEY, Gilbert
MA, Sean T.
Title: STRUCTURES DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs ayant une couche semi-conductrice passivant une partie d'un moyen de transport de support. L'invention concerne également des procédés de formation de tels dispositifs. La couche semi-conductrice peut être adjacente à une électrode de transport d'un dispositif à semi-conducteurs, et peut former une interface avec une couche d'espacement qui sépare une électrode de grille et l'électrode de transport. Dans certains modes de réalisation, le moyen de transport de support peut être formé à partir d'un premier composé semi-conducteur III-V, et la couche semi-conductrice peut être formée à partir d'un second composé semi-conducteur III-V. La bande interdite d'énergie du premier composé semi-conducteur III-V peut être inférieure à la bande interdite d'énergie du second composé semi-conducteur III-V. En outre ou dans d'autres modes de réalisation, la couche semi-conductrice peut avoir une épaisseur sensiblement uniforme dans une plage d'environ 1 nm à environ 5 nm.