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1. (WO2018182675) FINFET À RÉGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN INCLINÉES

Pub. No.:    WO/2018/182675    International Application No.:    PCT/US2017/025290
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/08
H01L 29/66
H01L 29/417
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: KIM, Raseong
AVCI, Uygar E.
YOUNG, Ian A.
Title: FINFET À RÉGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN INCLINÉES
Abstract:
L'invention concerne des techniques de formation de circuits intégrés à semi-conducteur comprenant une région de source adjacente à la région de canal et ayant une première interface inclinée par rapport à la région de canal selon un premier angle dans une plage comprise entre moins de 90° et supérieure ou égale à 0°, le premier angle de la première interface étant mesuré par rapport à une ligne horizontale imaginaire qui passe à travers la région de canal et la région de source. De même, l'invention concerne également des techniques de formation de circuits intégrés à semi-conducteur comprenant une région de drain adjacente à la région de canal et ayant une seconde interface inclinée par rapport à la région de canal selon un second angle dans une plage comprise entre moins de 90° et supérieure ou égale à 0° par rapport à la ligne horizontale imaginaire, la ligne horizontale imaginaire passant également à travers la région de drain.