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1. (WO2018182667) MÉMOIRE SPINTRONIQUE À COUCHE CRISTALLISÉE AMÉLIORÉE

Pub. No.:    WO/2018/182667    International Application No.:    PCT/US2017/025256
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 43/02
H01L 43/08
H01L 43/10
H01L 43/12
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: OGUZ, Kaan
WIEGAND, Christopher J.
O'BRIEN, Kevin P.
DOYLE, Brian S.
DOCZY, Mark L.
RAHMAN, MD Tofizur
OUELLETTE, Daniel G.
GHANI, Tahir
Golonzka, Oleg
Title: MÉMOIRE SPINTRONIQUE À COUCHE CRISTALLISÉE AMÉLIORÉE
Abstract:
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil comprenant : une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) comprenant une couche magnétique fixe et une couche barrière à effet tunnel ; une première couche sur la couche barrière à effet tunnel ; une seconde couche sur la première couche ; et une couche d'oxyde sur la seconde couche ; (a)(i) la première couche comprend une pluralité de métaux et est directement en contact avec la couche barrière à effet tunnel, et (a)(ii) la seconde couche comprend la pluralité de métaux et un élément choisi dans l'ensemble constitué par le carbone, le silicium, le germanium, l'étain, le phosphore ou des combinaisons de ces derniers. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.