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1. (WO2018182665) CONTACTS À EFFET TUNNEL POUR UN TRANSISTOR

Pub. No.:    WO/2018/182665    International Application No.:    PCT/US2017/025251
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 29/417
H01L 29/66
H01L 27/108
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: SHARMA, Abhishek A.
LE, Van H.
DEWEY, Gilbert W.
SHIVARAMAN, Shriram
GHANI, Tahir
KAVALIEROS, Jack T.
WEBER, Cory E.
Title: CONTACTS À EFFET TUNNEL POUR UN TRANSISTOR
Abstract:
L'invention concerne des substrats, des ensembles et des techniques pour un transistor dorsal, le transistor dorsal comprenant une grille, un oxyde semi-conducteur, un métal source et un métal de drain, et un isolant entre le métal source et la grille et entre le métal de drain et la grille. L'isolant peut permettre une tunnellisation entre le métal source et/ou le métal de drain et l'oxyde semi-conducteur.