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1. (WO2018182645) MÉMOIRE SPINTRONIQUE À COUCHE DE RECOUVREMENT PERFORÉE

Pub. No.:    WO/2018/182645    International Application No.:    PCT/US2017/025172
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 43/02
H01L 43/08
H01L 43/10
H01L 43/12
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: RAHMAN, MD Tofizur
WIEGAND, Christopher J.
OUELLETTE, Daniel G.
SMITH, Angeline K.
BROCKMAN, Justin S.
DOCZY, Mark L.
OGUZ, Kaan
O'BRIEN, Kevin P.
DOYLE, Brian S.
GOLONZKA, Oleg
GHANI, Tahir
Title: MÉMOIRE SPINTRONIQUE À COUCHE DE RECOUVREMENT PERFORÉE
Abstract:
L'invention concerne un appareil comprenant : une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) comprenant une couche magnétique libre, une couche magnétique fixe et une couche barrière à effet tunnel entre les couches libre et fixe ; et des première, deuxième et troisième couches ; (a)(i) la deuxième couche se trouvant entre les première et troisième couches, et la première couche se trouvant entre la MTJ et la deuxième couche, (a)(ii) la première couche contenant un oxyde, la deuxième couche contenant du cobalt et du fer et la troisième couche contenant un métal, et (a)(iii) la première couche contenant des perforations. D'autres modes de réalisation sont décrits.