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1. (WO2018182644) MÉMOIRE SPINTRONIQUE À FAIBLE PRÉCIPITATION D'OXYGÈNE
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N° de publication : WO/2018/182644 N° de la demande internationale : PCT/US2017/025156
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 43/02][IPC code unknown for H01L 43/10][IPC code unknown for H01L 43/08][IPC code unknown for H01L 43/12]
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
RAHMAN, MD Tofizur; US
WIEGAND, Christopher J.; US
OUELLETTE, Daniel G.; US
SMITH, Angeline K.; US
BROCKMAN, Justin S.; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
OGUZ, Kaan; US
DOCZY, Mark L.; US
DOYLE, Brian S.; US
GOLONZKA, Oleg; US
GHANI, Tahir; US
Mandataire :
RICHARDS, Edwin E.; US
TROP, Timothy N.; US
ROZMAN, Mark J.; US
GARZA, John C.; US
PRUNER JR., Fred G.; US
RIFAI, D'Ann Naylor; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPINTRONIC MEMORY WITH LOW OXYGEN PRECIPITATION
(FR) MÉMOIRE SPINTRONIQUE À FAIBLE PRÉCIPITATION D'OXYGÈNE
Abrégé :
(EN) An embodiment includes an apparatus comprising: a magnetic tunnel junction (MTJ) including a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a tunnel barrier layer between the free and fixed magnetic layers; and a layer including a member selected from the group consisting of ruthenium, tungsten, molybdenum, rhodium, palladium, silver, osmium, iridium, platinum, gold, mercury, copper, or combinations thereof; a first oxide layer, comprising magnesium oxide (MgO), which (a)(i) is between the layer and the MTJ, and (a)(ii) directly contacts both the free magnetic layer and the layer. Other embodiments are described herein.
(FR) L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil comprenant : une jonction tunnel magnétique (MTJ) comprenant une couche magnétique libre, une couche magnétique fixe, et une couche barrière de tunnel disposée entre les couches magnétiques libre et fixe ; et une couche comprenant un élément choisi dans le groupe constitué par le ruthénium, le tungstène, le molybdène, le rhodium, le palladium, l'argent, l'osmium, l'iridium, le platine, l'or, le mercure, le cuivre ou des combinaisons de ces derniers ; une première couche d'oxyde, comprenant de l'oxyde de magnésium (MgO), qui (a)(i) se trouve entre la couche et la MTJ, et (a)(ii) vient directement en contact tant avec la couche magnétique libre qu'avec la couche. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)