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1. (WO2018182642) MÉMOIRE SPINTRONIQUE COMPORTANT UNE COUCHE DE RECOUVREMENT À FAIBLE RÉSISTANCE
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N° de publication : WO/2018/182642 N° de la demande internationale : PCT/US2017/025147
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : DOCZY, Mark L.; US
DOYLE, Brian S.; US
WIEGAND, Christopher J.; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
OGUZ, Kaan; US
KUO, Charles C.; US
TSENG, Ricky J.; US
OUELLETTE, Daniel G.; US
RAHMAN, MD Tofizur; US
SMITH, Angeline K.; US
BROCKMAN, Justin S.; US
GOLONZKA, Oleg; US
GHANI, Tahir; US
Mandataire : RICHARDS, Edwin E.; US
TROP, Timothy N.; US
ROZMAN, Mark J.; US
GARZA, John C.; US
PRUNER JR., Fred G.; US
RIFAI, D'Ann Naylor; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPINTRONIC MEMORY WITH LOW RESISTANCE CAP LAYER
(FR) MÉMOIRE SPINTRONIQUE COMPORTANT UNE COUCHE DE RECOUVREMENT À FAIBLE RÉSISTANCE
Abrégé :
(EN) An embodiment includes an apparatus comprising: a magnetic tunnel junction (MTJ) including a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a tunnel barrier layer between the free and fixed layers; the tunnel barrier layer directly contacting a first side of the free layer; and a first side of an oxide layer directly contacting a second side of the free layer; and a first side of an additional layer directly contacting a second side of the oxide layer; wherein the oxide layer includes a metal and the additional layer includes the metal. Other embodiments are described herein.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un appareil dans lequel : une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) comprend une couche magnétique libre, une couche magnétique fixe, et une couche limite à effet tunnel entre les couches libre et fixe, la couche limite à effet tunnel étant en contact direct avec un premier côté de la couche libre ; un premier côté d'une couche d'oxyde est en contact direct avec un second côté de la couche libre ; et un premier côté d'une couche supplémentaire est en contact direct avec un second côté de la couche d'oxyde, la couche d'oxyde contenant un métal, et la couche supplémentaire contenant ledit métal. D'autres modes de réalisation sont décrits.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)