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1. (WO2018182605) DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS III-N DOTÉS DE CONTACTS DE SUBSTRAT CRISTALLINES DOPÉES EN RELIEF

Pub. No.:    WO/2018/182605    International Application No.:    PCT/US2017/024961
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/778
H01L 29/66
H01L 29/20
H01L 21/02
H01L 21/768
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: THEN, Han, Wui
FISCHER, Paul, B.
RADOSAVLJEVIC, Marko
DASGUPTA, Sansaptak
Title: DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS III-N DOTÉS DE CONTACTS DE SUBSTRAT CRISTALLINES DOPÉES EN RELIEF
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteurs comprenant des transistors III-N adjacents à des contacts de substrat III-N s'étendant à partir d'un substrat de croissance hétéroépitaxiale de groupe IV. Dans des modes de réalisation, des mésas GaN qui vont contenir des contacts de substrat conducteur sont amenés à se développer simultanément avec des mésas GaN qui vont contenir des transistors. Un mesa de GaN pour un contact de substrat est ensuite sélectivement dopé, par exemple avec un implant masqué. Un mesa de GaN intrinsèque pour un transistor est ensuite sélectivement traité, par exemple pour former un canal de transistor. Un semiconducteur fortement dopé peut ensuite être amené à se développer sur toutes les mésas de GaN et une métallisation de contact posée sur le semi-conducteur fortement dopé. Des niveaux d'interconnexion finaux peuvent ensuite être déposés successivement sur le contact de substrat pour maintenir un trajet électrique vers le substrat suffisant pour atténuer les dommages liés à la charge causés aux transistors pendant le traitement final.