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1. (WO2018181901) COMPOSITION DE SOLUTION DE NETTOYAGE
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N° de publication : WO/2018/181901 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/013615
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 30.03.2018
CIB :
C11D 7/08 (2006.01) ,C11D 1/22 (2006.01) ,C11D 3/04 (2006.01) ,C11D 3/39 (2006.01) ,C11D 7/18 (2006.01) ,C11D 17/08 (2006.01) ,G11B 5/84 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
02
Composés inorganiques
04
solubles dans l'eau
08
Acides
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
1
Compositions détergentes formées essentiellement de composés tensio-actifs; Emploi de ces composés comme détergents
02
Composés anioniques
12
Esters des acides sulfoniques ou de l'acide sulfurique; Leurs sels
22
dérivés de composés aromatiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
3
Autres composés entrant dans les compositions détergentes couvertes par le groupe C11D1/110
02
Composés inorganiques
04
solubles dans l'eau
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
3
Autres composés entrant dans les compositions détergentes couvertes par le groupe C11D1/110
39
Percomposés organiques ou inorganiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
02
Composés inorganiques
18
Peroxydes; Persels
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
17
Détergents ou savons caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques
08
Savon liquide; en capsules
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
84
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
関東化學株式会社 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都中央区日本橋本町3丁目2番8号 2-8, Nihonbashihoncho 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030023, JP
Inventeurs :
谷口 優美子 TANIGUCHI, Yumiko; JP
大和田 拓央 OHWADA, Takuo; JP
Mandataire :
葛和 清司 KUZUWA, Kiyoshi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07107431.03.2017JP
Titre (EN) CLEANING SOLUTION COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE SOLUTION DE NETTOYAGE
(JA) 洗浄液組成物
Abrégé :
(EN) Provided is a cleaning solution composition which: does not damage SiO2, Si3N4, Si, etc., forming a layer on the substrate surface, when cleaning a surface of a semiconductor substrate or a glass substrate; can be used under processing conditions applicable to a brush scrub cleaning chamber attached to a CMP device; and exhibits high removal of compounds derived from polishing particles in a slurry. This cleaning solution composition is a cleaning solution composition for cleaning a surface of a semiconductor substrate or a glass substrate, contains water and one or two or more inorganic acids (excluding hydrofluoric acid) or salts thereof containing a fluorine atom in the structure thereof, and has a hydrogen ion concentration (pH) of less than 7.
(FR) La présente invention concerne une composition de solution de nettoyage qui : ne détériore pas SiO2, Si3N4, Si, etc., en formant une couche à la surface du substrat, lors du nettoyage de la surface d'un substrat semi-conducteur ou d'un substrat en verre ; peut être utilisée dans des conditions de traitement applicables à une chambre de nettoyage par brosse fixée à un dispositif CMP ; et présente une élimination importante de composés dérivés de particules de polissage dans une boue. Cette composition de solution de nettoyage est une composition de solution de nettoyage pour nettoyer la surface d'un substrat semi-conducteur ou d'un substrat en verre, qui contient de l'eau et un ou deux acides inorganiques ou plus (à l'exclusion de l'acide fluorhydrique) ou des sels de ceux-ci contenant un atome de fluor dans sa structure, et présente une concentration en ions hydrogène (pH) inférieure à 7.
(JA) 半導体基板またはガラス基板表面を洗浄する際に、基板表面の層を形成するSiO、SiおよびSi等へのダメージがなく、CMP装置付帯のブラシスクラブ洗浄チャンバーに適用可能な処理条件下で使用することができ、スラリー中の砥粒由来の化合物に対して除去性の高い洗浄液組成物を提供する。 本発明の洗浄液組成物は、半導体基板またはガラス基板表面を洗浄するための洗浄液組成物であって、構造内にフッ素原子を含んだ無機酸(ただし、フッ化水素酸を除く)またはその塩を1種または2種以上と水とを含有し、水素イオン濃度(pH)が7未満である、前記洗浄液組成物である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)