WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018181891) ÉBAUCHE DE MASQUE DE DÉPHASAGE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR MASQUE DE DÉPHASAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/181891 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/013591
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 30.03.2018
CIB :
G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 1/58 (2012.01) ,G03F 1/72 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26
Masques à décalage de phase [PSM phase shift mask]; Substrats pour PSM; Leur préparation
32
PSM atténués [att-PSM], p.ex. PSM ayant une partie à décalage de phase semi-transparente, PSM en demi-ton; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
54
Absorbeurs, p.ex. en matériau opaque
58
avec plusieurs couches diverses d'absorbeur, p.ex. absorbeur en empilement multicouche
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
72
Réparation ou correction des défauts dans un masque
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants : TOPPAN PRINTING CO.,LTD.[JP/JP]; 5-1, Taitou 1-chome, Taitou-ku, Tokyo 1010024, JP
Inventeurs : KOJIMA, Yosuke; JP
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; 5-12, Iwamotocho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032, JP
Données relatives à la priorité :
2017-07123331.03.2017JP
Titre (EN) PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND MANUFACTURING METHOD FOR PHASE SHIFT MASK
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE DE DÉPHASAGE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR MASQUE DE DÉPHASAGE
(JA) 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to obtain a phase shift mask with an improved size, wherein an undercut does not occur in a lower layer light-blocking film when the phase shift mask is fabricated. This phase shift mask blank is formed by stacking, on a substrate transparent to an exposure wavelength, a phase shift film having resistance to oxygen-containing chlorine-based etching (Cl/O system) and non-oxygen containing chlorine-based etching (Cl system), and capable of being etched by fluorine-based etching (F system), a light-blocking film having resistance to oxygen-containing chlorine-based etching (Cl/O system), and capable of being etched by non-oxygen containing chlorine-based etching (Cl system), and an etching mask film having resistance to fluorine-based etching (F system) and non-oxygen containing chlorine-based etching (Cl system), and capable of being etched by oxygen-containing chlorine-based etching (Cl/O system), and does not have an etching stopper layer between the phase shift film and the substrate.
(FR) L'objectif de la présente invention est d'obtenir un masque de déphasage ayant une taille améliorée, aucune gravure sous-jacente ne se produisant dans un film de blocage de lumière de couche inférieure lors de la fabrication du masque de déphasage. L'ébauche de masque de déphasage selon l'invention est formée par empilement, sur un substrat transparent à une longueur d'onde d'exposition, d'un film de déphasage ayant une résistance à une gravure à base de chlore contenant de l'oxygène (système Cl/O) et une gravure à base de chlore sans oxygène (système Cl) et pouvant être gravé par gravure à base de fluor (système F), d'un film de blocage de lumière ayant une résistance à la gravure à base de chlore contenant de l'oxygène (système Cl/O) et pouvant être gravé par gravure à base de chlore sans oxygène (système Cl) et d'un film de masque de gravure ayant une résistance à la gravure à base de fluor (système F) et à une gravure à base de chlore sans oxygène (système Cl) et pouvant être gravé par gravure à base de chlore contenant de l'oxygène (système Cl/O) et ne comporte pas de couche d'arrêt de gravure entre le film de déphasage et le substrat.
(JA) 位相シフトマスクの作製時に下層の遮光膜にアンダーカットが生じず、寸法が改善された位相シフトマスクを得ることを目的として、位相シフトマスクブランクは、露光波長に対して透明な基板上に、酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)と非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)に対して耐性を有し、且つフッ素系エッチング(F系)でエッチング可能な位相シフト膜と、酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)に対して耐性を有し、且つ非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)でエッチング可能な遮光膜と、フッ素系エッチング(F系)と非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)に対して耐性を有し、且つ酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)でエッチング可能なエッチングマスク膜とが積層されており、位相シフト膜と前記基板との間にエッチングストッパー層を有しない。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)