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1. (WO2018181809) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
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N° de publication : WO/2018/181809 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/013444
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 29.03.2018
CIB :
H01L 21/306 (2006.01) ,B08B 3/02 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08
NETTOYAGE
B
NETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3
Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
02
Nettoyage par la force de jets ou de pulvérisations
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
208
en utilisant un dépôt liquide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社FLOSFIA FLOSFIA INC. [JP/JP]; 京都府京都市西京区御陵大原1番36号 1-36, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245, JP
Inventeurs :
柳生 慎悟 YAGYU Shingo; JP
人羅 俊実 HITORA Toshimi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07329431.03.2017JP
2017-07329531.03.2017JP
Titre (EN) PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 処理装置および処理方法
Abrégé :
(EN) Provided are a processing device (system) and a processing method with which good quality roll-to-roll processing can be performed simply and easily on both sides of a substrate under atmospheric pressure. A processing device (system) for processing a substrate using a mist or liquid droplets including a processing agent is provided with an accumulation unit for accumulating the mist or liquid droplets, and an impregnation unit for impregnating the substrate with the accumulated mist or liquid droplets. Using the processing device, the mist or liquid droplets are accumulated, and the substrate is processed by impregnating the substrate with the accumulated mist or liquid droplets.
(FR) L'invention concerne un dispositif (système) de traitement et un procédé de traitement qui permettent de réaliser un traitement de rouleau à rouleau de bonne qualité simplement et facilement des deux côtés d'un substrat sous pression atmosphérique. Un dispositif (système) de traitement destiné à traiter un substrat en utilisant un brouillard ou des gouttelettes de liquide comprenant un agent de traitement est pourvu d'une unité d'accumulation destinée à accumuler le brouillard ou les gouttelettes de liquide, et d'une unité d'imprégnation destinée à imprégner le substrat avec le brouillard ou les gouttelettes de liquide accumulés. En utilisant le dispositif de traitement, le brouillard ou les gouttelettes de liquide sont accumulés et le substrat est traité par imprégnation du substrat avec le brouillard ou les gouttelettes de liquide accumulés.
(JA) 大気圧下で、基板の両面において、簡便且つ容易に良質な処理をロール・トゥ・ロールで可能な処理装置(システム)および処理方法を提供する。処理剤を含むミストまたは液滴を用いて基体を処理する処理装置(システム)であって、前記ミストまたは液滴を滞留させる滞留部と、滞留させている前記ミストまたは液滴を前記基体に含浸させる含浸部とを備えている処理装置を用いて、前記ミストまたは液滴を滞留させ、滞留させている前記ミストまたは液滴を前記基体に含浸させて前記基体を処理する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)