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1. (WO2018181767) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET FEUILLE ADHESIVE

Pub. No.:    WO/2018/181767    International Application No.:    PCT/JP2018/013354
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 23/12
C09J 5/00
C09J 7/20
H01L 21/56
Applicants: LINTEC CORPORATION
リンテック株式会社
Inventors: AKUTSU, Takashi
阿久津 高志
OKAMOTO, Naoya
岡本 直也
NAKAYAMA, Takehito
中山 武人
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET FEUILLE ADHESIVE
Abstract:
L'invention concerne : un procédé de production de dispositif à semiconducteur qui comprend des étapes (1) à (4) indiquées ci-dessous et qui est un procédé de production d'un dispositif à semiconducteur utilisant une feuille adhésive comprenant une couche adhésive et un substrat non adhésif contenant des particules expansibles; et une feuille adhésive utilisée dans le procédé de production. L'étape (1) est une étape dans laquelle un élément cadre ayant une ouverture formée à l'intérieur de celui-ci est fixé à la surface adhésive de la couche adhésive. L'étape (2) est une étape dans laquelle une puce semiconductrice est placée sur une partie de la surface adhésive de la couche adhésive qui est exposée dans l'ouverture de l'élément cadre. L'étape (3) est une étape dans laquelle la puce semiconductrice, l'élément cadre et la surface adhésive de la couche adhésive sur la périphérie de la puce semiconductrice sont recouverts d'un matériau d'étanchéité, le matériau d'étanchéité étant durci, et un corps d'étanchéité durci dans lequel la puce semiconductrice est scellée par le matériau d'étanchéité durci est obtenu. L'étape (4) est une étape dans laquelle les particules expansibles sont amenées à se dilater et la feuille adhésive est décollée du corps d'étanchéité durci. La présente invention permet de réduire au minimum l'apparition d'un déplacement de position d'une puce semiconductrice dans un processus de production pour un boîtier de sortance, a une excellente productivité, et produit un dispositif à semiconducteur ayant une excellente planéité dans une surface de formation de couche de recâblage de celui-ci.