Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018181602) MATÉRIAU PROTECTEUR ET MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ PROTECTEUR DESTINÉS À UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉITÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/181602    International Application No.:    PCT/JP2018/013019
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 29 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 23/29
H01L 21/56
H01L 23/31
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
日立化成株式会社
Inventors: HORI, Kohji
堀 浩士
KAN, Donchoru
姜 東哲
YAMAURA, Masashi
山浦 格
ISHIBASHI, Kenta
石橋 健太
Title: MATÉRIAU PROTECTEUR ET MATÉRIAU D'ÉTANCHÉITÉ PROTECTEUR DESTINÉS À UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉITÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un matériau protecteur destiné à un circuit électronique, satisfaisant au moins les conditions en (1) et (2) : (1) un matériau protecteur destiné à un circuit électronique qui contient un constituant résine et une charge inorganique, le rapport de teneur en charge étant d'au moins 50% en poids de la totalité ; (2) un matériau protecteur destiné à un circuit électronique qui contient un constituant résine et une charge inorganique, le matériau protecteur étant configuré de telle sorte que, si la viscosité (Pa·s) mesurée à 75°C et une vitesse de cisaillement de 5 s− 1 est la viscosité A et la viscosité (Pa·s) mesurée à 75°C et une vitesse de cisaillement de 50 s− 1 est la viscosité B, l'indice thixotrope à 75°C, obtenu sous forme de la valeur de viscosité A/viscosité B, se situe dans la plage de 0,1 à 2,5.