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1. (WO2018181597) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MONTAGE ET MATÉRIAU EN FEUILLE EMPLOYÉ DANS LEDIT PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/181597 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/013011
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 28.03.2018
CIB :
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
Déposants : NAGASE CHEMTEX CORPORATION[JP/JP]; 1-17, Shinmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5508668, JP
Inventeurs : HASHIMOTO Takayuki; JP
ISHIBASHI Takuya; JP
NISHIMURA Kazuki; JP
Mandataire : KAWASAKI, HASHIMOTO AND PARTNERS; Kitahama-Yamamoto Building, 3-6, Kitahama 2-chome,Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Données relatives à la priorité :
2017-07178131.03.2017JP
Titre (EN) MOUNTING STRUCTURE MANUFACTURING METHOD AND SHEET MATERIAL USED IN THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MONTAGE ET MATÉRIAU EN FEUILLE EMPLOYÉ DANS LEDIT PROCÉDÉ
(JA) 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート材
Abrégé :
(EN) [Problem] To suppress the generation of ionic impurities from a sheet material even in an environment like that of a high temperature, high humidity bias test. [Solution] A method for manufacturing a mounting structure, the method comprising: a step for preparing a mounting member that is provided with a first circuit member and a plurality of second circuit members to be loaded on the first circuit member, and that has a space formed between the first circuit member and the second circuit members; a step for preparing a sheet material containing a thermosetting resin, a curing agent, a thermoplastic resin, and an inorganic filler; a step for disposing the sheet material on the mounting member so as to face the second circuit members; and a sealing step for pressing the sheet material against the first circuit member, heating the sheet material, and sealing the second circuit members while maintaining the space. The total of chloride ions, sodium ions, and potassium ions contained in the thermoplastic resin is 30 ppm or less on a mass basis.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer la génération d'impuretés ioniques d'un matériau en feuille même dans un environnement tel que celui d'un test de polarisation à haute température et à humidité élevée. La solution selon l'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure de montage comprenant les étapes consistant : à préparer un élément de montage qui est pourvu d'un premier élément de circuit et d'une pluralité de seconds éléments de circuit à charger sur le premier élément de circuit, et qui possède un espace formé entre le premier et les seconds éléments de circuit ; à préparer un matériau en feuille renfermant une résine thermodurcissable, un agent de durcissement, une résine thermoplastique et une charge inorganique ; à placer le matériau en feuille sur l'élément de montage de façon à être en regard des seconds éléments de circuit ; et à presser le matériau en feuille contre le premier élément de circuit, à chauffer le matériau en feuille, puis à sceller les seconds éléments de circuit tout en préservant l'espace. La somme des ions chlorure, des ions sodium et des ions potassium contenus dans la résine thermoplastique est inférieure ou égale à 30 ppm sur une base en masse.
(JA) 【課題】高温高湿バイアス試験のような環境下であっても、シート材からのイオン性不純物の発生を抑制する。 【解決手段】第1回路部材と、前記第1回路部材に搭載される複数の第2回路部材と、を備えるとともに、前記第1回路部材と前記第2回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、熱硬化性樹脂と硬化剤と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含むシート材を準備する工程と、前記第2回路部材と対向するように、前記シート材を前記実装部材に配置する工程と、前記シート材を前記第1回路部材に対して押圧するとともに、前記シート材を加熱して、前記空間を維持しながら、前記第2回路部材を封止する封止工程と、を具備し、前記熱可塑性樹脂に含まれる、塩化物イオンと、ナトリウムイオンと、カリウムイオンとの合計が、質量基準で30ppm以下である、実装構造体の製造方法。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)