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1. (WO2018181508) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2018/181508 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/012833
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 28.03.2018
CIB :
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants : KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs : LI, Gen; JP
YAMAZAKI, Hirohisa; JP
NONOMURA, Kazuki; JP
SUZAKI, Kenichi; JP
TAKEBAYASHI, Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2017/01331930.03.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, CLEANING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a cleaning technique by which a film such as a high dielectric constant oxide film that is difficult to etch by means of a fluorine-containing gas is able to be efficiently removed. [Solution] According to the present invention, a high dielectric constant oxide film adhering to a processing chamber is removed by performing (a) a step for supplying a chlorine-based gas into the processing chamber, to which the high dielectric constant oxide film adheres, at a first pressure, (b) a step for exhausting the processing chamber, (c) a step for supplying an oxygen-containing gas into the processing chamber, (d) a step for exhausting the processing chamber, (e) a step for supplying the chlorine-based gas into the processing chamber at a second pressure that is lower than the first pressure, (f) a step for exhausting the processing chamber, and (g) a step for performing a post-treatment by supplying a reducing gas into the processing chamber.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technique de nettoyage par laquelle un film tel qu'un film d'oxyde à constante diélectrique élevée qui est difficile à graver au moyen d'un gaz contenant du fluor peut être efficacement éliminé. La solution selon la présente invention porte sur un film d'oxyde à constante diélectrique élevée adhérant à une chambre de traitement qui est éliminé par réalisation (a) d'une étape d'alimentation en gaz à base de chlore dans la chambre de traitement, à laquelle le film d'oxyde à constante diélectrique élevée adhère, à une première pression, (b) d'une étape d'évacuation de la chambre de traitement, (c) d'une étape d'alimentation en gaz contenant de l'oxygène dans la chambre de traitement, (d) d'une étape d'évacuation de la chambre de traitement, (e) d'une étape d'alimentation du gaz à base de chlore dans la chambre de traitement à une seconde pression qui est inférieure à la première pression, (f) d'une étape d'évacuation de la chambre de traitement et (g) d'une étape de réalisation d'un post-traitement par introduction d'un gaz réducteur dans la chambre de traitement.
(JA) 課題 フッ素含有ガスではエッチングが難しい高誘電率酸化膜等の膜を効率的に除去することができるクリーニング技術を提供する。 解決手段 (a)高誘電率酸化膜が付着した処理室に、第1の圧力で、塩素系ガスを供給する工程と、(b)前記処理室を排気する工程と、(c)前記処理室に酸素含有ガスを供給する工程と、(d)前記処理室を排気する工程と、(e)前記処理室に、前記第1の圧力より低い第2の圧力で、前記塩素系ガスを供給する工程と、(f)前記処理室を排気する工程と、(g)前記処理室に、還元ガスを供給して、後処理を行う工程と、を行い、前記高誘電率酸化膜を除去する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)