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1. (WO2018181438) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT

Pub. No.:    WO/2018/181438    International Application No.:    PCT/JP2018/012669
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 29 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/146
G01T 1/20
H01L 27/144
H01L 29/786
H01L 31/08
H04N 5/321
H04N 5/361
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: NAKAMURA Yu
中村 友
TOMIYASU Kazuhide
冨安 一秀
NAKAZAWA Makoto
中澤 淳
MORIWAKI Hiroyuki
森脇 弘幸
NAKAMURA Wataru
中村 渉
NAKANO Fumiki
中野 文樹
Title: PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract:
La présente invention concerne un panneau d'imagerie à rayons X et un procédé de fabrication correspondant, qui permettent de supprimer le courant de fuite dans une couche de conversion photoélectrique et de réduire en même temps le nombre de processus nécessaires à la fabrication du panneau d'imagerie. Le panneau d'imagerie (1) sert à produire une image sur la base d'une lumière de scintillation obtenue à partir de rayons X ayant traversé un objet. Le panneau d'imagerie (1) est pourvu d'un transistor à couches minces (13), de films de passivation (103, 104) recouvrant le transistor à couches minces (13), d'une couche de conversion photoélectrique (15) pour convertir la lumière de scintillation en une charge électrique, d'une électrode supérieure (16) et d'une électrode inférieure (14) connectée au transistor à couches minces (13), lesdits éléments se situant sur un substrat (101). Les parties d'extrémité de l'électrode inférieure (14) sont placées sur le côté interne par rapport aux parties d'extrémité de la couche de conversion photoélectrique (15). L'électrode inférieure (14) et le transistor à couches minces (13) sont connectés par l'intermédiaire d'un trou de contact (CH1) formé dans les films de passivation (103, 104), dans la région dans laquelle la couche de conversion photoélectrique (15) se situe.