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1. (WO2018181438) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
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N° de publication : WO/2018/181438 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/012669
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 28.03.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/08 (2006.01) ,H04N 5/321 (2006.01) ,H04N 5/361 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
20
avec des détecteurs à scintillation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
32
Transformation des rayons X
321
avec transmission vidéo d'images fluoroscopiques
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
361
appliqué au courant d'obscurité
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
中村 友 NAKAMURA Yu; --
冨安 一秀 TOMIYASU Kazuhide; --
中澤 淳 NAKAZAWA Makoto; --
森脇 弘幸 MORIWAKI Hiroyuki; --
中村 渉 NAKAMURA Wataru; --
中野 文樹 NAKANO Fumiki; --
Mandataire :
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06893330.03.2017JP
Titre (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides an X-ray imaging panel, and a method for manufacturing the same, with which it is possible to suppress leak current in a photoelectric conversion layer while reducing the number of processes for manufacturing the imaging panel. An imaging panel 1 for generating an image on the basis of scintillation light obtained from X-rays transmitted through a subject. The imaging panel 1 is provided with a thin film transistor 13, passivation films 103, 104 covering the thin film transistor 13, a photoelectric conversion layer 15 for converting the scintillation light into an electrical charge, an upper electrode 16, and a lower electrode 14 connected to the thin film transistor 13, said elements being provided on a substrate 101. The end parts of the lower electrode 14 are disposed on the inner side relative to the end parts of the photoelectric conversion layer 15. The lower electrode 14 and the thin film transistor 13 are connected via a contact hole CH1 formed in the passivation films 103, 104 in a region in which the photoelectric conversion layer 15 is provided.
(FR) La présente invention concerne un panneau d'imagerie à rayons X et un procédé de fabrication correspondant, qui permettent de supprimer le courant de fuite dans une couche de conversion photoélectrique et de réduire en même temps le nombre de processus nécessaires à la fabrication du panneau d'imagerie. Le panneau d'imagerie (1) sert à produire une image sur la base d'une lumière de scintillation obtenue à partir de rayons X ayant traversé un objet. Le panneau d'imagerie (1) est pourvu d'un transistor à couches minces (13), de films de passivation (103, 104) recouvrant le transistor à couches minces (13), d'une couche de conversion photoélectrique (15) pour convertir la lumière de scintillation en une charge électrique, d'une électrode supérieure (16) et d'une électrode inférieure (14) connectée au transistor à couches minces (13), lesdits éléments se situant sur un substrat (101). Les parties d'extrémité de l'électrode inférieure (14) sont placées sur le côté interne par rapport aux parties d'extrémité de la couche de conversion photoélectrique (15). L'électrode inférieure (14) et le transistor à couches minces (13) sont connectés par l'intermédiaire d'un trou de contact (CH1) formé dans les films de passivation (103, 104), dans la région dans laquelle la couche de conversion photoélectrique (15) se situe.
(JA) 撮像パネルを作製する工程を削減しつつ、光電変換層のリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13を覆うパッシベーション膜103、104と、シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層15と、上部電極16と、薄膜トランジスタ13と接続された下部電極14とを備える。下部電極14の端部は、光電変換層15の端部よりも内側に配置される。下部電極14と薄膜トランジスタ13は、光電変換層15が設けられた領域において、パッシベーション膜103、104に形成されたコンタクトホールCH1を介して接続されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)