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1. (WO2018181264) SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2018/181264 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/012334
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 27.03.2018
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,G09G 3/36 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
G
DISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3
Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20
pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
G
DISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3
Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20
pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
34
en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
36
utilisant des cristaux liquides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
西山 隆之 NISHIYAMA Takayuki; --
米林 諒 YONEBAYASHI Ryo; --
田中 耕平 TANAKA Kohhei; --
Mandataire :
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06446029.03.2017JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE HAVING SAME
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ACTIF ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT
(JA) アクティブマトリクス基板、及びそれを備えた表示装置
Abrégé :
(EN) Provided is a technique making it possible to easily arrange a driving circuit for driving a gate line in a pixel and reduce display defects in the form of vertical stripes. This active matrix substrate includes a pixel electrode 141 and a pixel switching element 10 connected to a gate line 13, a source line 15, and the pixel electrode 141 in each pixel PIX. A driving circuit element 110 of a driving circuit for driving the gate line 13 is arranged in a light shielding region BM of some of the pixels PIX in a display region. An interval between the pixel switching elements 10 in a row of the pixels where the driving circuit element 110 is arranged is not uniform, and the drains of the pixel switching elements 10 in the same row are in the same direction with respect to the source lines connected thereto.
(FR) L'invention concerne une technique permettant d'agencer facilement un circuit d'attaque pour l'attaque d'une ligne de grille dans un pixel et pour la réduction des défauts d'affichage sous la forme de bandes verticales. Ledit substrat matriciel actif comprend une électrode (141) de pixel et un élément de commutation (10) de pixels connecté à une ligne de grille (13), à une ligne de source (15) et à l'électrode (141) de pixel dans chaque pixel PIX. Un élément (110) de circuit d'attaque d'un circuit d'attaque pour l'attaque de la ligne de grille (13) est agencé dans une région de protection contre la lumière BM de certains des pixels PIX dans une région d'affichage. Un intervalle entre les éléments de commutation (10) de pixels dans une rangée des pixels où l'élément (110) de circuit d'attaque est agencé, n'est pas uniforme et les drains des éléments de commutation (10) de pixels dans la même rangée sont dans la même direction par rapport aux lignes de source qui y sont connectées.
(JA) ゲート線を駆動する駆動回路を画素内に配置しやすく、且つ縦縞状の表示不良を軽減し得る技術を提供する。アクティブマトリクス基板は、画素PIXに、画素電極141と、ゲート線13とソース線15と画素電極141とに接続された画素用スイッチング素子10とを備える。ゲート線13を駆動する駆動回路の駆動回路用素子110は、表示領域における一部の画素PIXの遮光領域BMに配置される。駆動回路用素子110の設置画素の行における画素用スイッチング素子10の間隔は均一でなく、同じ行の画素用スイッチング素子10のドレインは、接続されるソース線に対して同じ方向にある。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)