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1. (WO2018181142) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
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N° de publication : WO/2018/181142 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/012061
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 26.03.2018
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
北川 英樹 KITAGAWA, Hideki; --
今井 元 IMAI, Hajime; --
伊藤 俊克 ITOH, Toshikatsu; --
菊池 哲郎 KIKUCHI, Tetsuo; --
鈴木 正彦 SUZUKI, Masahiko; --
上田 輝幸 UEDA, Teruyuki; --
原 健吾 HARA, Kengo; --
西宮 節治 NISHIMIYA, Setsuji; --
大東 徹 DAITOH, Tohru; --
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2017-07177331.03.2017JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板、液晶表示装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides a highly precise active matrix substrate while suppressing occurrence of a pixel defect. This active matrix substrate is provided with: a first semiconductor film corresponding to one of two sub-pixels adjacent to each other in a row direction; a second semiconductor film corresponding to the other; a transistor using part of the first semiconductor film as a channel in the row direction; and a pixel electrode connected to a drain electrode of the transistor via a contact hole, wherein in plan view, a distance (dc) in the row direction from the drain electrode-side edge of the channel to the bottom surface of the contract hole is greater than or equal to 0.15 times a sub-pixel pitch (dp) in the row direction.
(FR) La présente invention permet d'obtenir un substrat de matrice active très précis tout en supprimant l'apparition d'un défaut de pixel. Ledit substrat de matrice active est pourvu : d'un premier film semi-conducteur correspondant à un sous-pixel parmi deux sous-pixels adjacents l'un à l'autre dans une direction de rangée ; d'un second film semi-conducteur correspondant à l'autre sous-pixel ; d'un transistor utilisant une partie du premier film semi-conducteur en tant que canal dans la direction de rangée ; et d'une électrode de pixel connectée à une électrode de drain du transistor par l'intermédiaire d'un trou de contact. En vue en plan, une distance (dc) dans la direction de rangée à partir du bord côté électrode de drain du canal jusqu'à la surface inférieure du trou de contact est supérieure ou égale à 0,15 fois un pas de sous-pixel (dp) dans la direction de rangée.
(JA) 画素欠陥の発生を抑えつつ、高精細なアクティブマトリクス基板を提供する。行方向に隣り合う2つのサブ画素の一方に対応する第1半導体膜と、他方に対応する第2半導体膜と、前記第1半導体膜の一部を行方向のチャネルとするトランジスタと、コンタクトホールを介して前記トランジスタのドレイン電極に接続する画素電極とを備え、平面視においては、前記チャネルのドレイン電極側エッジから前記コンタクトホールの底面に到るまでの行方向の距離(dc)が、行方向のサブ画素ピッチ(dp)の0.15倍以上である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)