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1. (WO2018181128) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/181128 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/012036
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 26.03.2018
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H05K 3/24 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
22
Traitement secondaire des circuits imprimés
24
Renforcement du parcours conducteur
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
30
Assemblage de circuits imprimés avec des composants électriques, p.ex. avec une résistance
32
Connexions électriques des composants électriques ou des fils à des circuits imprimés
34
Connexions soudées
Déposants :
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventeurs :
和田 英敏 WADA, Hidetoshi; JP
末崎 恭 SUEZAKI, Takashi; JP
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Mandataire :
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Données relatives à la priorité :
2017-07280831.03.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A method for producing a photoelectric conversion element according to the present disclosure comprises: a first electrode formation step wherein a first electrode is formed on at least a first main surface side of a photoelectric conversion unit with use of a conductive paste that contains conductive particles, a thermosetting resin and a solvent; an atmospheric drying step wherein the first electrode is dried by being heated at the atmospheric pressure so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin; a vacuum drying step wherein the first electrode is vacuum dried by being heated under a vacuum so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin after the atmospheric drying step; and an insulating film formation step wherein an insulating film is formed on the first main surface side of the first electrode after the vacuum drying step.
(FR) Un procédé de production d'un élément de conversion photoélectrique selon la présente invention comprend : une première étape de formation d'électrode dans laquelle une première électrode est formée sur au moins un premier côté de surface principale d'une unité de conversion photoélectrique avec l'utilisation d'une pâte conductrice qui contient des particules conductrices, une résine thermodurcissable et un solvant; une étape de séchage atmosphérique dans laquelle la première électrode est séchée en étant chauffée à la pression atmosphérique de façon à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable; une étape de séchage sous vide dans laquelle la première électrode est séchée sous vide en étant chauffée sous vide de manière à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable après l'étape de séchage atmosphérique; et une étape de formation de film isolant dans laquelle un film isolant est formé sur le premier côté de surface principale de la première électrode après l'étape de séchage sous vide.
(JA) 本開示に係る光電変換素子の製造方法は、光電変換部における少なくとも第1の主面側に、導電性粒子、熱硬化性樹脂、溶剤を含む導電性ペーストを用いて第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極を、大気圧下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、乾燥させる大気乾燥工程と、前記大気乾燥工程の後に、前記第1電極を、真空下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、真空乾燥させる真空乾燥工程と、前記真空乾燥工程後に、前記第1電極の前記第1の主面側に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)