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1. (WO2018181056) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET COMPOSÉ ET POLYMÈRE UTILISÉS À CET EFFET
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N° de publication : WO/2018/181056 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/011875
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 23.03.2018
CIB :
H01L 51/30 (2006.01) ,C07D 495/16 (2006.01) ,C07D 495/22 (2006.01) ,C08G 61/12 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
495
Composés hétérocycliques contenant dans le système condensé au moins un hétérocycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle
12
dans lesquels le système condensé contient trois hétérocycles
16
Systèmes condensés en péri
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
495
Composés hétérocycliques contenant dans le système condensé au moins un hétérocycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle
22
dans lesquels le système condensé contient au moins quatre hétérocycles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
61
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
12
Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants : FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
THE UNIVERSITY OF TOKYO[JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
Inventeurs : SHIROKANE, Kenji; JP
FUKUZAKI, Eiji; JP
TANI, Yukio; JP
TAMAKUNI, Fumiko; JP
USAMI, Yoshihisa; JP
WATANABE, Tetsuya; JP
OKAMOTO, Toshihiro; JP
TAKEYA, Junichi; JP
Mandataire : IIDA & PARTNERS; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
IIDA, Toshizo; JP
AKABA, Shuichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07181831.03.2017JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM PRODUCTION METHOD, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND COMPOUND AND POLYMER USED THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET COMPOSÉ ET POLYMÈRE UTILISÉS À CET EFFET
(JA) 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー
Abrégé :
(EN) Provided are: an organic semiconductor element in which an organic semiconductor layer comprises a compound represented by formula (1), a compound represented by formula (2), and/or a compound represented by formula (3), or a polymer having any of the structures represented by formulas (8)-(10); an organic semiconductor film used for the organic semiconductor layer in such an element, and a production method therefor; and compounds, polymers and compositions used for the organic semiconductor film. X1 represents a nitrogen atom or CRa, and ring A and ring B each represent a specific nitrogen-containing ring. Y1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, CRb2, or NRc. V1 represents NRd, an oxygen atom, a sulfur atom, or a selenium atom. Ra-Rd each represent a hydrogen atom or a substituent group. R1 represents a specific substituent group, p is an integer of 0-2, n is 1 or 2, and "*" represents a binding site.
(FR) L'invention concerne : un élément semi-conducteur organique dans lequel une couche semi-conductrice organique comprend un composé représenté par la formule (1), un composé représenté par la formule (2), et/ou un composé représenté par la formule (3), ou un polymère ayant l'une quelconque des structures représentées par les formules (8) à (10) ; un film semi-conducteur organique utilisé pour la couche semi-conductrice organique dans un tel élément, et son procédé de production ; et des composés, des polymères et des compositions utilisés pour le film semi-conducteur organique. X1 représente un atome d'azote ou CRa, et le cycle A et le cycle B représentent chacun un cycle contenant de l'azote spécifique. Y1 représente un atome d'oxygène, un atome de soufre, CRb 2, ou NRc. V1 représente NRd, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un atome de sélénium. Ra à Rd représentent chacun un atome d'hydrogène ou un groupe substituant. R1 représente un groupe substituant spécifique, p est un nombre entier de 0 à 2, n vaut 1 ou 2, et "*" représente un site de liaison.
(JA) 有機半導体層が式(1)の化合物、式(2)の化合物及び/又は式(3)の化合物を含有し、又は下記式(8)~(10)のいずれかの構造を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層に用いる有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜に用いる化合物、ポリマー及び組成物。 Xは窒素原子又はCRを示し、環A及び環Bは特定の含窒素環を示す。 Yは酸素原子、硫黄原子、CR又はNRを示す。 VはNR、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。 R~Rは水素原子又は置換基を示す。 Rは特定の置換基を示し、pは0~2の整数である。 nは1又は2である。 *は結合部位を示す。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)