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1. (WO2018181019) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/181019    International Application No.:    PCT/JP2018/011766
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 45/00
H01L 49/00
Applicants: NEC CORPORATION
日本電気株式会社
Inventors: OKAMOTO Koichiro
岡本 浩一郎
TADA Munehiro
多田 宗弘
BANNO Naoki
伴野 直樹
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un élément de changement de résistance qui améliore la variation de tension réglée entre des éléments. L'invention concerne un dispositif à semiconducteur qui comprend au moins deux éléments de changement de résistance, une premiere borne et une seconde borne. Les éléments de changement de résistance comprennent chacun une première électrode, une seconde électrode et une couche de changement de résistance interposée entre la première électrode et la seconde électrode, et a pour fonction de modifier une valeur de résistance de manière réversible sur la base d'un signal électrique appliqué entre deux électrodes, c'est-à-dire la première électrode et la seconde électrode. La première électrode de chaque élément de changement de résistance est électroconnectée à la première borne, la seconde électrode de chaque élément de changement de résistance est électroconnectée à la seconde borne, les couches de changement de résistance sont séparées les unes des autres entre les éléments de changement de résistance, et les secondes électrodes sont séparées les unes des autres entre les éléments de changement de résistance et sont électroconnectées les unes aux autres uniquement par l'intermédiaire des secondes bornes.