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1. (WO2018180842) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/180842 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/011294
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 22.03.2018
CIB :
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333
Dispositions relatives à la structure
1343
Electrodes
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2017-06535529.03.2017JP
Titre (EN) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) TFT基板、TFT基板の製造方法、表示装置
Abrégé :
(EN) The present invention achieves stable connection, in a TFT substrate including a semiconductor film in each of a lower layer part and an upper layer part thereof, between a conductor in the lower layer part and a conductor in the upper layer part. The substrate is provided thereon with: a first semiconductor film (6) that functions as a channel for TFT; a first conductor (M1) that is disposed in a layer above the first semiconductor film; an interlayer insulating film (18) that is disposed in a layer above the first conductor; a second semiconductor film (26) that is disposed in a layer above the interlayer insulating film; a second conductor (J2) that is disposed in a layer above the second semiconductor film; an organic insulating film (32) that is disposed in a layer above the second conductor; a third conductor (M3) that is disposed in a layer above the organic insulating film; and a contact hole (CH) that extends through a through-hole (H32) in the organic insulating film and a through-hole (H18) in the interlayer insulating film and reaches the first conductor, wherein the second conductor (J2) and the third conductor (M3) are formed so as to overlap the opening plane (K) of the contact hole, and the third conductor (M3) is in contact with the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
(FR) La présente invention réalise une connexion stable, dans un substrat TFT comprenant un film semi-conducteur dans une partie de couche inférieure et une partie de couche supérieure de ce dernier, entre un conducteur dans la partie de couche inférieure et un conducteur dans la partie de couche supérieure. Le substrat est pourvu : d'un premier film semi-conducteur (6) qui fonctionne comme un canal pour TFT ; d'un premier conducteur (M1) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier film semi-conducteur ; un film isolant intercouche (18) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier conducteur ; un second film semi-conducteur (26) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant intercouche ; un second conducteur (J2) qui est disposé dans une couche au-dessus du second film semi-conducteur ; un film isolant organique (32) qui est disposé dans une couche au-dessus du second conducteur ; un troisième conducteur (M3) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant organique ; et un trou de contact (CH) qui s'étend à travers un trou traversant (H32) dans le film isolant organique et un trou traversant (H18) dans le film isolant intercouche et qui atteint le premier conducteur, le second conducteur (J2) et le troisième conducteur (M3) étant formés de manière à chevaucher le plan d'ouverture (K) du trou de contact, et le troisième conducteur (M3) est en contact avec le premier conducteur (M1) et le second conducteur (J2).
(JA) 下層部および上層部それぞれに半導体膜を含むTFT基板において、下層部の導電体と上層部の導電体との安定的な接続を図る。基板上に、TFTのチャネルとして機能する第1半導体膜(6)と、第1半導体膜よりも上層の第1導電体(M1)と、第1導電体よりも上層の層間絶縁膜(18)と、層間絶縁膜よりも上層の第2半導体膜(26)と、第2半導体膜よりも上層の第2導電体(J2)と、第2導電体よりも上層の有機絶縁膜(32)と、有機絶縁膜よりも上層の第3導電体(M3)と、有機絶縁膜のスルーホール(H32)および層間絶縁膜のスルーホール(H18)を通って第1導電体に到るコンタクトホール(CH)とを備え、第2導電体(J2)および第3導電体(M3)がコンタクトホールの開口面(K)と重なるように形成され、第3導電体(M3)が第1導電体(M1)および第2導電体(J2)と接触する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)