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1. (WO2018180663) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
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N° de publication : WO/2018/180663 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/010697
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 19.03.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
廣田 侯然 HIROTA, Kosa; JP
角屋 誠浩 SUMIYA, Masahiro; JP
中宇禰 功一 NAKAUNE, Koichi; JP
玉利 南菜子 TAMARI, Nanako; JP
井上 智己 INOUE, Satomi; JP
中元 茂 NAKAMOTO, Shigeru; JP
Mandataire :
特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06035327.03.2017JP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma treatment method for plasma etching a wafer such as a semiconductor substrate, wherein composite deposits of a metal and a non-metal that are deposited within a treatment chamber due to a wafer etching process can be removed and the generation of foreign contaminants due to the deposits can be reduced. Provided is a plasma treatment method in which a sample is plasma etched in a treatment chamber and the inside of the treatment chamber is plasma cleaned, the plasma treatment method is characterized: by comprising an etching step in which a prescribed number of the samples are plasma etched, a metal removal step in which, after the etching step, a deposition film containing a metallic element is removed using a plasma, and a non-metal removal step in which a deposition film containing a non-metallic element is removed using a plasma which differs from the plasma used in the metal removal step; and in that the metal removal step and the non-metal removal step are repeated at least two times.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de traitement au plasma pour la gravure au plasma d'une tranche telle qu'un substrat semi-conducteur, grâce auquel des dépôts composites d'un métal et d'un non-métal, qui sont déposés à l'intérieur d'une chambre de traitement sous l'effet d'un processus de gravure de tranche, peuvent être éliminés et la production de contaminants étrangers due aux dépôts peut être réduite. À cet effet, l'invention concerne un procédé de traitement au plasma dans lequel un échantillon est gravé au plasma dans une chambre de traitement et dans lequel l'intérieur de la chambre de traitement est nettoyé au plasma, le procédé de traitement au plasma se caractérisant : en ce qu'il comprend une étape de gravure dans laquelle un nombre prescrit des échantillons sont gravés au plasma, une étape d'élimination de métal dans laquelle, après l'étape de gravure, un film de dépôt contenant un élément métallique est retiré à l'aide d'un plasma, et une étape de retrait de non-métal, dans laquelle un film de dépôt contenant un élément non métallique est retiré à l'aide d'un plasma qui diffère du plasma utilisé dans l'étape d'élimination de métal ; et en ce que l'étape d'élimination de métal et l'étape de retrait de non-métal sont répétées au moins deux fois.
(JA) 本発明の目的は、半導体基板等のウエハをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ウエハのエッチング処理によって処理室内に堆積する金属と非金属の複合堆積物を除去し、堆積物による異物の発生を低減することのできるプラズマ処理方法を提供する。 本発明は、処理室内にて試料をプラズマエッチングし前記処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法において、前記試料を所定枚数プラズマエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程後、プラズマを用いて金属元素を含有する堆積膜を除去する金属除去工程と、前記金属除去工程のプラズマと異なるプラズマを用いて非金属元素を含有する堆積膜を除去する非金属除去工程を有し、前記金属除去工程と前記非金属除去工程とを2回以上繰り返すことを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020180122600