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1. (WO2018180536) CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE PROGRAMMABLE, SON PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION ET PROGRAMME ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2018/180536 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/010177
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 15.03.2018
CIB :
H03K 19/177 (2006.01) ,H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
02
utilisant des éléments spécifiés
173
utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
177
disposés sous forme matricielle
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventeurs :
多田 あゆ香 TADA Ayuka; JP
阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu; JP
宮村 信 MIYAMURA Makoto; JP
辻 幸秀 TSUJI Yukihide; JP
根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke; JP
白 旭 BAI Xu; JP
Mandataire :
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06286828.03.2017JP
Titre (EN) PROGRAMMABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, PROGRAMMING METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE PROGRAMMABLE, SON PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION ET PROGRAMME ASSOCIÉ
(JA) プログラマブル論理集積回路とそのプログラミング方法及びそのプログラム
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a circuit capable of reducing leakage power in a programmable logic circuit using resistance change elements. To this end, the present invention is a programmable logic integrated circuit comprising a switch matrix provided with, as a switch element, a plurality of first resistance change elements connected to an input line and an output line, wherein a buffer is connected to the output line, the programmable logic integrated circuit being characterized in that power is not supplied to the buffer that is connected to the output line and does not contribute to an operation of a desired logic circuit, the operation being caused when the logic circuit has been programmed.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un circuit susceptible de réduire la puissance de fuite dans un circuit logique programmable à l'aide d'éléments de changement de résistance. À cet effet, la présente invention est un circuit intégré logique programmable comprenant une matrice de commutation pourvue, en tant qu'élément de commutation, d'une pluralité de premiers éléments de changement de résistance connectés à une ligne d'entrée et à une ligne de sortie, un tampon étant connecté à la ligne de sortie, le circuit intégré logique programmable étant caractérisé en ce que la puissance n'est pas fournie au tampon qui est connecté à la ligne de sortie et ne contribue pas à un fonctionnement d'un circuit logique souhaité, le fonctionnement étant provoqué lorsque le circuit logique a été programmé.
(JA) 本発明の目的は、抵抗変化素子を用いたプログラマブル論理回路にて、リーク電力を抑制することのできる回路を提供することである。そのために本発明は、入力線と出力線に接続された複数の第1の抵抗変化素子をスイッチ素子として備えたスイッチマトリクスを有し、前記出力線にバッファが接続されたプログラマブル論理集積回路であって、所望の論理回路をプログラムした際に生じる、前記論理回路の動作には寄与しない前記出力線に接続されている前記バッファには電源を供給しないことを特徴とする。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)