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1. (WO2018180340) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/180340 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/009015
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 08.03.2018
CIB :
H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
319
à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
047
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
113
à entrée mécanique et sortie électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316
par dépôt en phase vapeur
Déposants :
日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
Inventeurs :
有本 将治 ARIMOTO, Masaharu; JP
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu; JP
▲葛▼田 真郷 KATSUDA, Masato; JP
黒瀬 愛美 KUROSE, Manami; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06554729.03.2017JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a piezoelectric device which is provided with a flexible plastic layer and has excellent piezoelectric properties, and in which cracking or fracture is suppressed; and a method for manufacturing the same. This piezoelectric device has stacked therein, at least a first electrode, a plastic layer, an orientation control layer, a piezoelectric layer, and a second electrode, wherein the orientation control layer is amorphous, the piezoelectric layer, which has a thickness of 20-250 nm and a wurtzite-type crystal structure, is formed on the orientation control layer, and the orientation control layer and the piezoelectric layer are disposed between the first electrode and the second electrode.
(FR) L'invention concerne : un dispositif piézoélectrique qui comprend une couche de plastique souple et qui présente d'excellentes propriétés piézoélectriques, et dans lequel la fissuration ou la fracture est supprimée; et un procédé de fabrication de celui-ci. A l’intérieur ce dispositif piézoélectrique est empilé, au moins une première électrode, une couche plastique, une couche de commande d'orientation, une couche piézoélectrique et une seconde électrode, la couche de commande d'orientation étant amorphe, la couche piézoélectrique, qui a une épaisseur de 20 à 250 nm et une structure cristalline de type wurtzite, est formée sur la couche de commande d'orientation, et la couche de commande d'orientation et la couche piézoélectrique sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode.
(JA) 屈曲性を有するプラスチック層を有し、かつ、良好な圧電特性を備え、クラックまたは割れが抑制された、圧電デバイスとその製造方法を提供する。少なくとも、第1電極、プラスチック層、配向制御層、圧電体層、及び第2電極が積層された圧電デバイスにおいて、前記配向制御層は非晶質であり、前記配向制御層の上に、ウルツ鉱型の結晶構造を有する厚さ20nm~250nmの圧電体層が形成されており、前記配向制御層と前記圧電体層が、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)