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1. (WO2018180276) MEMBRANE DE CORPS PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/180276 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/008542
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 06.03.2018
CIB :
H01L 41/187 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01) ,H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/39 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
08
Oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316
par dépôt en phase vapeur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
319
à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
35
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
39
Matériaux inorganiques
Déposants : FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs : MURAKAMI Naoki; JP
SAWAKI Daigo; JP
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; JP
MIWA Haruko; JP
ITOH Hideaki; JP
MITSUHASHI Fumio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07055831.03.2017JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC BODY MEMBRANE, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND PIEZOELECTRIC ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) MEMBRANE DE CORPS PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a piezoelectric body membrane, a piezoelectric element, and a piezoelectric element manufacturing method with which excellent piezoelectric characteristics can be obtained even under a high temperature environment. The piezoelectric body membrane of the present invention contains a perovskite-type oxide expressed by expression (1), wherein the content q of Nb with respect to the total number of atoms in the perovskite-type oxide, and the ratio r of a diffraction peak intensity from a (200) plane with respect to a diffraction peak intensity from a (100) plane of the perovskite-type oxide as measured by X-ray diffraction method satisfies expression (2). Expression (1): A1+δ[(ZryTi1-y)1-xNbx]Oz, Expression (2): 0.35≦r/q<0.58, where A is an A site element containing Pb, x and y are respectively independently more than zero and not more than 1, and δ and z respectively have the standard values of 0 and 3, the values being allowed to deviate from the standard values to the extent that the perovskite-type oxide can have a perovskite structure. In expression (2), the unit of q is atm%.
(FR) La présente invention concerne une membrane de corps piézoélectrique, un élément piézoélectrique et un procédé de fabrication d'élément piézoélectrique avec lesquels d'excellentes caractéristiques piézoélectriques peuvent être obtenues même dans un environnement à haute température. La membrane de corps piézoélectrique de la présente invention contient un oxyde de type pérovskite exprimé par l'expression (1), la teneur q en Nb par rapport au nombre total d'atomes dans l'oxyde de type pérovskite, et le rapport r d'une intensité de pic de diffraction depuis un plan (200) par rapport à une intensité de pic de diffraction depuis un plan (100) de l'oxyde de type pérovskite, tel que mesuré par le procédé de diffraction des rayons X, satisfait l'expression (2). Expression (1) : A1+δ[(ZryTi1-y)1-xNbx]Oz; Expression (2): 0,35≦r/q<0,58, où A est un élément de site A contenant Pb, x et y sont respectivement indépendamment supérieurs à zéro et inférieurs ou égaux à 1, et δ et z ont respectivement les valeurs standard de 0 et 3, les valeurs étant autorisées à s'écarter des valeurs standard dans la mesure où l'oxyde de type pérovskite peut avoir une structure pérovskite. Dans l'expression (2), l'unité de q est % atomique.
(JA) 本発明は、高温環境下でも優れた圧電特性が得られる圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法を提供する。 本発明の圧電体膜は、下記式(1)で表されるペロブスカイト型酸化物を含有し、ペロブスカイト型酸化物中における、全原子数に対するNbの含有量qと、X線回折法によって測定される、ペロブスカイト型酸化物の(100)面からの回折ピーク強度に対する、(200)面からの回折ピーク強度の比rとが、式(2)を満たす、圧電体膜であり、式(1) A1+δ[(ZrTi1-y1-xNb]O、式(2)0.35≦r/q<0.58、この場合、式(1)中、AはPbを含有するAサイト元素を表し、x及びyはそれぞれ独立に0を超え、1未満の数を表し、δ=0かつz=3が標準値だが、これらの値はペロブスカイト型酸化物がペロブスカイト構造を取り得る範囲で標準値からずれてもよく、かつ、式(2)中、qの単位はatm%である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)