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1. (WO2018180189) FIL DE LIAISON ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/180189    International Application No.:    PCT/JP2018/007938
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 03 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/60
Applicants: TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD.
タツタ電線株式会社
Inventors: TAKIGAWA, Tamami
滝川 圭美
FUJIKAWA, Ryota
藤川 良太
Title: FIL DE LIAISON ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
Le but de la présente invention est de fournir un fil de liaison et un dispositif à semiconducteur. Le fil de liaison est à base d'Ag et permet d'améliorer la sphéricité ou la résistance aux chocs thermiques d'une bulle d'air libre (FAB) et de réduire la hauteur d'une boucle formée pendant le câblage, permettant de réduire l'épaisseur d'un dispositif à semiconducteur. Le fil de liaison a : une teneur en Pd supérieure ou égale à 0,1 % en masse et inférieure ou égale à 10 % en masse; une teneur en Cu inférieure ou égale à 0,05 % en masse et inférieure ou égale à 2 % en masse; une teneur totale inférieure ou égale à 20 ppm en masse et inférieure ou égale à 500 ppm en masse d'un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué par Ca, Y, Sm, La, Ce, Nd, Eu, Gd et Sc; une teneur totale supérieure ou égale à 0 ppm en masse et pas plus de 500 ppm en masse d'un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué de Ge, Bi et Mg; et le reste comprenant Ag.