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1. (WO2018180146) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT

Pub. No.:    WO/2018/180146    International Application No.:    PCT/JP2018/007469
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 01 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/336
C01B 32/158
H01L 21/208
H01L 21/312
H01L 29/786
H01L 51/05
H01L 51/30
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC.
東レ株式会社
Inventors: ISOGAI, Kazuki
磯貝和生
MURASE, Seiichiro
村瀬清一郎
SAKII, Daisuke
崎井大輔
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
Abstract:
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques de semi-conducteur de type n stables sans détérioration au fil du temps. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur comportant : un substrat; une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille; une couche semi-conductrice qui entre en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain; une couche d'isolation de grille qui isole la couche semi-conductrice de l'électrode de grille; et une seconde couche d'isolation qui est en contact avec la couche semi-conductrice sur un côté opposé à la couche d'isolation de grille par rapport à la couche semi-conductrice, le dispositif à semi-conducteur étant caractérisé en ce que la couche semi-conductrice contient des nanotubes de carbone, la seconde couche d'isolation contient des composés donneurs d'électrons comprenant au moins un atome choisi parmi des atomes d'azote et des atomes de phosphore, et la perméabilité à l'oxygène de la seconde couche d'isolation est inférieure ou égale à 4,0 cc/(m2·24h·atm).