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1. (WO2018180021) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CELUI-CI

Pub. No.:    WO/2018/180021    International Application No.:    PCT/JP2018/006034
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 21 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
Inventors: MAKIYAMA, Kozo
牧山 剛三
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CELUI-CI
Abstract:
La présente invention aborde le problème de réalisation d'un dispositif à semi-conducteur au nitrure dans lequel des effets de canal court sont suffisamment supprimés. La solution selon l'invention porte sur un InAlGaN/GaN∙HEMT dans lequel une structure stratifiée semi-conductrice de nitrure 2 comprend: une couche tampon 2a; une couche de barrière arrière contenant de l'InGaN 2b qui est disposée sur la couche tampon 2a; et une couche de transit d'électrons 2c qui est disposée sur la couche de barrière arrière 2b. Dans le sens de l'épaisseur de la couche de barrière arrière 2b, la composition d'In dans la couche de barrière arrière augmente au niveau d'une première interface vers la couche tampon 2a, et la composition d'IN diminue en continu vers une seconde interface vers la couche de transit d'électrons 2c à partir de la première interface.