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1. (WO2018179704) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
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N° de publication : WO/2018/179704 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001666
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 19.01.2018
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-06193527.03.2017JP
Titre (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Abrégé :
(EN) This pattern forming method comprises: a step for applying a composition for underlayer film formation to a substrate; a step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation directly or indirectly to an underlayer film which is formed by the step for applying a composition for underlayer film formation; a step for exposing a resist film to light, said resist film being formed by the step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation; and a step for developing the resist film which has been exposed to light. The composition for underlayer film formation contains at least one of: a first component which produces a component having an acid group that is a sulfo group, a carboxy group, a phosphono group, a phosphoric acid group, a sulfuric acid group, a sulfone amide group, a sulfonyl imide group, a -CRF1RF2OH group or a combination of these groups by the action of heat; and a second component which is other than the first component and has one of the acid groups described above. The radiation sensitive composition for resist film formation contains 50% by mass or more of a metal-containing compound in terms of solid content.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant: une étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche sur un substrat; une étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve directement ou indirectement sur un film de sous-couche qui est formé par l'étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche; une étape consistant à exposer un film de réserve à une lumière, ledit film de réserve étant formé par l'étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve; et une étape consistant à développer le film de réserve qui a été exposé à la lumière. La composition permettant de former un film de sous-couche contient au moins l'un des éléments suivants: un premier composant qui produit un composant contenant un groupe acide, tel qu'un groupe sulfo, un groupe carboxy, un groupe phosphono, un groupe acide phosphorique, un groupe acide sulfurique, un groupe sulfonamide, un groupe sulfonimide, un groupe -CRF1RF2OH ou une combinaison de ces groupes, sous l'effet de la chaleur; et un second composant qui est différent du premier composant et qui contient l'un des groupes acides décrits ci-dessus. La composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve contient au moins 50% en masse d'un composé contenant du métal en termes de teneur en solide.
(JA) 本発明のパターン形成方法は、基板に下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記下層膜形成用組成物塗工工程により形成された下層膜上に直接又は間接にレジスト膜形成用感放射線性組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記下層膜形成用組成物が、スルホ基、カルボキシ基、ホスホノ基、リン酸基、硫酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、-CRF1F2OH又はこれらの組み合わせである酸基を有する成分を熱の作用により発生する第1成分と、上記第1成分以外の成分であって上記酸基を有する第2成分とのうち少なくとも1種を含有し、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物が、金属含有化合物を固形分換算で50質量%以上含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)