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1. (WO2018179660) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE

Pub. No.:    WO/2018/179660    International Application No.:    PCT/JP2017/047323
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 29 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 43/08
H01L 21/8239
H01L 27/105
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: NISHIOKA Koichi
西岡 浩一
ENDOH Tetsuo
遠藤 哲郎
IKEDA Shoji
池田 正二
HONJO Hiroaki
本庄 弘明
SATO Hideo
佐藤 英夫
OHNO Hideo
大野 英男
Title: ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Abstract:
La présente invention concerne un élément à effet magnétorésistif et une mémoire magnétique. La direction d'aimantation d'une couche de stockage est verticale par rapport à une surface de film dans l'élément à effet magnétorésistif, qui a un indice de stabilité thermique élevé. La couche de stockage, qui a la configuration de première couche magnétique/première couche de liaison non magnétique/première couche d'insertion magnétique/seconde couche de liaison non magnétique/seconde couche magnétique, est stratifiée entre les première et seconde couches non magnétiques de telle sorte qu'une force de liaison magnétique est produite entre la première couche magnétique et la seconde couche magnétique.