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1. (WO2018179567) SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/179567 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040373
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 09.11.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 02.03.2018
CIB :
C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40
Composés AIII BV
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION[JP/JP]; 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
Inventeurs : NODA Akira; JP
KAWAHIRA Keita; JP
HIRANO Ryuichi; JP
Mandataire : AXIS PATENT INTERNATIONAL; JP
OGOSHI Isamu; JP
WAKATSUCHI Masayuki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07262031.03.2017JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide: a Zn-doped InP single crystal substrate having a large diameter of 75 mm or larger, the Zn-doped InP single crystal substrate achieving a high electrical activation rate of Zn over the entire main surface of the substrate even in a highly-doped region in which the Zn concentration is 5 × 1018cm-3 or more; and a method for producing the same. [Solution] Even in a Zn-doped InP single crystal substrate having a diameter of 75 mm or larger and a Zn concentration of 5 × 1018cm-3 or more, the electrical activation rate of Zn is made larger than 85% over the entire main surface of the substrate by, while rotating an InP single crystal ingot at a rotation speed of 10 rpm or lower, cooling the InP single crystal ingot with a temperature difference of 200ºC for 2-7.5 minutes at least when the InP single crystal ingot is cooled, and cutting the InP single crystal ingot into thin plates.
(FR) Le problème à la base de la présente invention concerne : un substrat monocristallin d'InP dopé au Zn présentant un grand diamètre de 75 mm ou plus, le substrat monocristallin d'InP dopé au Zn atteignant un taux d'activation électrique élevé de Zn sur toute la surface principale du substrat, même dans une région fortement dopée dans laquelle la concentration en Zn est de 5 × 1018cm-3 ou plus; et un procédé pour sa production. Selon la solution, même dans un substrat monocristallin d'InP dopé au Zn présentant un diamètre de 75 mm ou plus et une concentration en Zn de 5 × 1018cm-3 ou plus, le taux d'activation électrique de Zn est augmenté à plus de 85 % sur toute la surface principale du substrat par le refroidissement du lingot monocristallin d'InP, tout en le faisant tourner à une vitesse de rotation de 10 tours/minute ou moins, par une différence de température de 200°C pendant 2-7,5 minutes au moins lorsque le lingot monocristallin d'InP est refroidi, et par la découpe du lingot monocristallin d'InP en plaques minces.
(JA) 【課題】直径75mm以上の大口径InP単結晶基板において、Zn濃度が5×1018cm-3以上の高ドープ領域であっても基板の主表面の全面にわたって高いZnの電気的活性化率を実現したZnドープInP単結晶基板、その製造方法を提供する。 【解決手段】回転速度10rpm以下でInP単結晶インゴットを回転させつつ、少なくとも前記InP単結晶インゴットの冷却時に200℃の温度差を2~7.5分の時間で冷却し、これを薄板状に切り出すことにより、直径75mm以上、Zn濃度5×1018cm-3以上のZnドープInP単結晶基板であっても、前記基板の主表面の全面にわたってZnの電気的活性化率が85%を超えるものとする。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)