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1. (WO2018179352) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT

Pub. No.:    WO/2018/179352    International Application No.:    PCT/JP2017/013632
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/31
H01L 21/336
H01L 27/115
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: TAKESHIMA, Yuichiro
竹島 雄一郎
NAKAYAMA, Masanori
中山 雅則
FUNAKI, Katsunori
舟木 克典
TSUBOTA, Yasutoshi
坪田 康寿
IGAWA, Hiroto
井川 博登
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Abstract:
La présente invention comprend : une étape de placement, sur une table de placement de substrat, d'un substrat ayant une structure évidée formée d'un film de silicium, ladite structure évidée ayant, sur sa surface interne, une couche modifiée formée par modification d'une couche de surface du film de silicium par réalisation d'une gravure par rapport à l'intérieur de la structure évidée; une étape consistant à fournir un gaz contenant de l'oxygène à l'intérieur d'une chambre de traitement de substrat; une étape consistant à démarrer, dans un espace de génération de plasma, la génération de plasma du gaz contenant de l'oxygène; et une étape d'oxydation, à l'aide du plasma, de la surface du film de silicium sur laquelle est formée la couche modifiée, ladite couche modifiée étant exposée dans la structure évidée du substrat. Par conséquent, un film d'oxyde sacrificiel ayant une excellente uniformité d'épaisseur de film dans le plan est formé par rapport à la surface interne de la structure évidée sur la surface du substrat.