Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018179251) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/179251    International Application No.:    PCT/JP2017/013319
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
H01L 21/316
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社日立国際電気
Inventors: LI Gen
李 根
YAMAZAKI Hirohisa
山崎 裕久
NONOMURA Kazuki
野々村 一樹
SUZAKI Kenichi
寿崎 健一
TAKEBAYASHI Yuji
竹林 雄二
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne une technique de nettoyage permettant d'éliminer efficacement un film, tel qu'un film d'oxyde à constante diélectrique élevée, qui est difficile à graver, au moyen d'un gaz contenant du fluor. La présente invention comprend : (a) une étape de pré-traitement par acheminement d'un gaz d'oxydation dans une chambre de traitement sur laquelle adhère un film d'oxyde à constante diélectrique élevée ; (b) une étape d'acheminement d'un gaz à base de chlore dans la chambre de traitement à une première pression ; (c) une étape d'évacuation de la chambre de traitement ; (d) une étape d'acheminement du gaz d'oxydation dans la chambre de traitement ; (e) une étape d'acheminement d'un gaz à base de chlore dans la chambre de traitement à une deuxième pression inférieure à la première pression ; et (f) une étape de post-traitement par acheminement d'un gaz contenant de l'oxygène, différent du gaz d'oxydation, dans la chambre de traitement. La répétition des étapes (b)-(e) un nombre prédéterminé de fois permet de graver le film d'oxyde à constante diélectrique élevée adhérant sur l'intérieur de la chambre de traitement.