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1. (WO2018179086) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/179086    International Application No.:    PCT/JP2017/012639
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03F 1/52
H01L 25/00
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SASAKI, Yoshinobu
佐々木 善伸
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention comprend : une première puce à semi-conducteur formant un transistor à effet de champ qui possède une borne de gâchette, une borne de drain et une borne de source connectées à une borne de masse ; une seconde puce à semi-conducteur ayant une borne d'entrée et une borne de sortie connectées en courant continu, la seconde puce à semi-conducteur ayant un premier condensateur connecté à la borne d'entrée et à une borne de masse ; une première bobine d'induction connectée entre la borne de sortie et la borne de gâchette ; une deuxième bobine d'induction ayant une première borne connectée à la borne d'entrée ; un second condensateur connecté entre la borne de masse et une seconde borne de la deuxième bobine d'induction ; au moins deux diodes de protection qui sont montées en série dans une direction avant et dans lesquelles une anode est connectée à une cathode et à la borne de masse ; et une troisième bobine d'induction connectée entre la cathode et la seconde borne. Selon la présente invention, une fonction de protection contre les claquages provoqués par des décharges électrostatiques (DES) peut être obtenue avec un petit nombre d'étages empilés verticalement de diodes de protection et la dégradation du gain en puissance peut être éliminée.