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1. (WO2018179038) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROGRAMME ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Pub. No.:    WO/2018/179038    International Application No.:    PCT/JP2017/012314
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/316
H01L 21/3065
H01L 21/31
H01L 21/336
H01L 27/115
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: TAKESHIMA Yuichiro
竹島 雄一郎
NAKAYAMA Masanori
中山 雅則
FUNAKI Katsunori
舟木 克典
TSUBOTA Yasutoshi
坪田 康寿
IGAWA Hiroto
井川 博登
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROGRAMME ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abstract:
La présente invention concerne une technique selon laquelle, dans une étape de fabrication de dispositif à semi-conducteur, lorsqu'un film formé sur une surface interne d'une structure évidée ayant un rapport d'aspect élevé est modifié à partir de la surface de film pour former une couche modifiée, la modification est réalisée de telle sorte que l'épaisseur de la couche modifiée dans la direction de profondeur de la structure évidée présente une distribution prévue pour améliorer les caractéristiques électriques du dispositif. L'invention comprend l'étape d'excitation d'un gaz de traitement contenant un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant de l'hydrogène pour générer une espèce active d'oxygène et une espèce active d'hydrogène, et l'étape de fourniture de l'espèce active d'oxygène et de l'espèce active d'hydrogène à un substrat formé à l'intérieur de la structure évidée, pour oxyder le film formé sur la surface interne de la structure évidée, à partir de sa surface, pour former une couche oxydée. Dans l'étape de formation de la couche oxydée, la couche oxydée est formée de telle sorte que l'épaisseur sur la surface interne de la structure évidée devient supérieure à l'épaisseur dans sa partie extrémité supérieure par réglage du rapport de l'espèce active d'hydrogène dans le débit total de l'espèce active d'oxygène et de l'espèce active d'hydrogène fournie au substrat à un rapport prédéterminé qui est supérieur à un premier rapport auquel la vitesse de formation de couche oxydée dans la partie extrémité supérieure de la structure évidée est maximale.