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1. (WO2018178951) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS VERTICAUX

Pub. No.:    WO/2018/178951    International Application No.:    PCT/IB2018/052240
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/00
H01L 21/70
H01L 27/14
H01L 27/15
Applicants: VUEREAL INC.
CHAJI, Gholamreza
Inventors: CHAJI, Gholamreza
Title: DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS VERTICAUX
Abstract:
À mesure qu'augmente la densité de pixels de dispositifs optoélectroniques et que la taille des dispositifs optoélectroniques diminue, le problème d'isolation des microdispositifs individuels se complique. Un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, qui comprend un réseau de microdispositifs, consiste à : former une structure de couche de dispositifs comprenant une couche active monolithique sur un substrat ; former un réseau de premiers contacts sur la structure de couche de dispositifs définissant le réseau de microdispositifs ; monter le réseau de premiers contacts sur un fond de panier comprenant un circuit d'attaque qui commande le courant circulant dans le réseau de microdispositifs ; retirer le substrat ; et former un réseau de seconds contacts correspondant au réseau de premiers contacts, une barrière séparant chaque second contact.