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1. (WO2018178720) RÉSISTANCE DE COMMUTATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF

Pub. No.:    WO/2018/178720    International Application No.:    PCT/GB2018/050882
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018
IPC: G11C 13/00
H01L 45/00
Applicants: UCL BUSINESS PLC
Inventors: KENYON, Anthony
MEHONIC, Adnan
NG, Wing
Title: RÉSISTANCE DE COMMUTATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Abstract:
L'invention concerne une résistance de commutation ayant un état de résistance faible et un état de résistance élevée. La résistance de commutation comprend une couche diélectrique disposée entre une première électrode et une seconde électrode. La résistance de commutation comprend en outre une surface de délimitation texturée entre la première électrode et la couche diélectrique. La surface de délimitation texturée favorise la formation d'un trajet conducteur dans la couche diélectrique entre la première électrode et la seconde électrode.